[發明專利]濃度的調節方法及調節系統有效
| 申請號: | 201910947661.8 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN110828338B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 邱宇淵;徐融 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濃度 調節 方法 系統 | ||
1.一種濃度的調節方法,其特征在于,所述調節方法包括:
提供待清洗工件,將所述待清洗工件置入盛放有第一化學溶液的第一容器中,所述第一化學溶液包括溶劑,或者所述第一化學溶液包括溶質和所述溶劑,所述溶質包括預設粒子;
提供第二容器,所述第二容器用于裝載第二化學溶液,所述第二化學溶液為含有所述預設粒子的標準溶液,且所述第二化學溶液可進入所述第一容器中;
檢測所述第一容器中的第一預設粒子濃度,且檢測所述第二容器中的第二預設粒子濃度;以及
當所述第一預設粒子濃度小于目標預設粒子濃度時,控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中,以使得部分所述第二化學溶液進入所述第一容器后的所述第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等。
2.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,在“控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中”之前,所述調節方法還包括:
檢測所述第一容器中的所述第一化學溶液的體積;
“控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中”包括:
根據所述目標預設粒子濃度、所述第一預設粒子濃度、所述第一化學溶液的體積、以及所述第二預設粒子濃度建立第一模型;
根據所述第一模型來控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器。
3.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,所述調節方法還包括:
提供第三容器,所述第三容器用于裝載第三化學溶液,所述第三化學溶液為所述溶劑,且所述第三化學溶液可進入所述第一容器中;
當所述第一預設粒子濃度大于所述目標預設粒子濃度時,控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中,以使得部分所述第三化學溶液進入所述第一容器后的所述第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等。
4.如權利要求3所述的調節方法,其特征在于,“控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中”包括:
根據所述目標預設粒子濃度、所述第一預設粒子濃度、以及所述第一化學溶液的體積建立第二模型;
根據所述第二模型來控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器。
5.如權利要求3所述的調節方法,其特征在于,所述調節方法還包括:
提供第四容器,所述第四容器與所述第一容器連通;
當所述第一預設粒子濃度大于所述目標預設粒子濃度時,控制所述第一容器中的部分所述第一化學溶液進入所述第四容器中;以及
控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中,以使得部分所述第三化學溶液進入所述第一容器后的所述第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等。
6.如權利要求5所述的調節方法,其特征在于,“控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中”包括:
根據所述目標預設粒子濃度、所述第一預設粒子濃度、所述第一化學溶液的體積、以及進入所述第四容器中的部分所述第一化學溶液的體積建立第三模型;
根據所述第三模型來控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器。
7.如權利要求5所述的調節方法,其特征在于,所述調節方法還包括:
提供循環裝置,所述循環裝置連接所述第一容器,所述循環裝置用于除去所述第一容器中的所述第一化學溶液中的雜質;
所述第二容器連接所述循環裝置,所述第二容器向所述循環裝置中加入所述第二化學溶液,以使所述第二化學溶液進入所述第一容器中;
所述第四容器連接所述循環裝置,所述第一容器中的第一化學溶液進入所述循環裝置中,再從所述循環裝置中進入所述第四容器;
檢測所述循環裝置中的所述第一預設粒子濃度以得到所述第一容器中所述第一預設粒子濃度。
8.如權利要求1所述的調節方法,其特征在于,所述調節方法還包括:
攪拌所述第一容器中的所述第一化學溶液,以使得所述溶質分散均勻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





