[發(fā)明專利]硅片清洗方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910945978.8
• 申請日: 2019-10-01
• 公開（公告）號: CN110660646A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳宏
• 申請（專利權(quán)）人: 張家港市超聲電氣有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 32304 蘇州市港澄專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 馬麗麗

本申請公開了一種硅片清洗方法，包括以下步驟：s1：將待清洗的硅片放置在純水內(nèi)預留；s2：毛刷輥將硅片上下表面較硬的雜質(zhì)顆粒去除；s3：堿洗；s4：第一次純水噴淋；s5：烘干。該清洗方法通過毛刷輥對硅片表面的顆粒雜質(zhì)進行有效清除，從而減少后續(xù)清洗劑的使用量以及清洗用水量，所需電耗少，降低成本，節(jié)約能耗，且減少了清洗過程中硅片崩邊、缺角、破裂、碎片的現(xiàn)象。

技術領域

本申請涉及硅片清洗領域，特別是一種硅片清洗方法。

背景技術

隨著太陽能快速高效的發(fā)展，硅片的大直徑化、超薄化和組件結(jié)構(gòu)的高集成化，對硅片清洗要求越來越高。在清洗過程中，為了清除硅片表面污漬通常采用大量的清洗劑以及清洗用水，增大了所需電耗，給企業(yè)增加成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅片清洗方法，以克服現(xiàn)有技術中的不足。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

本申請實施例公開了一種硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步驟：s1：將待清洗的硅片放置在純水內(nèi)預留；s2：毛刷輥將硅片上下表面較硬的雜質(zhì)顆粒去除；s3：堿洗；s4：第一次純水噴淋；s5：烘干。

優(yōu)選的，在上述的一種硅片清洗方法中，所述s4中，第一次純水噴淋四次，溫度為20～25℃。

優(yōu)選的，在上述的一種硅片清洗方法中，所述s4和s5之間還包括s41：酸洗和s42：第二次純水噴淋。

優(yōu)選的，在上述的一種硅片清洗方法中，所述s42中，第二次純水噴淋五次，溫度為20～25℃。

優(yōu)選的，在上述的一種硅片清洗方法中，所述s3中，將氫氧化鉀濃度為 1～20mol/L的氫氧化鉀溶液經(jīng)噴淋的形式噴淋至硅片表面。

優(yōu)選的，在上述的一種硅片清洗方法中，所述s41中，將硅片浸泡在硝酸濃度為1～20mol/L的硝酸溶液中。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

該清洗方法通過毛刷輥對硅片表面的顆粒雜質(zhì)進行有效清除，從而減少后續(xù)清洗劑的使用量以及清洗用水量，所需電耗少，降低成本，節(jié)約能耗，且減少了清洗過程中硅片崩邊、缺角、破裂、碎片的現(xiàn)象。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行詳細的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本實施例中的硅片清洗方法如下：

s1：將待清洗的硅片放置在純水內(nèi)預留，促進表面硬顆粒軟化；

s2：毛刷輥將硅片上下表面較硬的雜質(zhì)顆粒去除；

s3：氫氧化鉀濃度為7mol/L的氫氧化鉀溶液經(jīng)噴淋的形式噴淋至硅片表面；

s4：22度的純水對硅片連續(xù)噴淋四次；

s41：硅片浸泡在硝酸濃度為10～15mol/L的硝酸溶液中；

s42：25度的純水對硅片連續(xù)噴淋五次；

s5：烘干。

在該技術方案中該清洗方法通過毛刷輥對硅片表面的顆粒雜質(zhì)進行有效清除，從而減少后續(xù)清洗劑的使用量以及清洗用水量，所需電耗少，降低成本，節(jié)約能耗，且減少了清洗過程中硅片崩邊、缺角、破裂、碎片的現(xiàn)象。

在其他實施例中，s41也可以是堿洗。