[發(fā)明專利]硅片清洗方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910945978.8
• 申請日: 2019-10-01
• 公開（公告）號(hào): CN110660646A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宏
• 申請（專利權(quán)）人: 張家港市超聲電氣有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 32304 蘇州市港澄專利代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 馬麗麗

1.一種硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步驟：s1：將待清洗的硅片放置在純水內(nèi)預(yù)留；s2：毛刷輥將硅片上下表面較硬的雜質(zhì)顆粒去除；s3：堿洗；s4：第一次純水噴淋；s5：烘干。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片清洗方法，其特征在于：所述s4中，第一次純水噴淋四次，溫度為20～25℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片清洗方法，其特征在于：所述s4和s5之間還包括s41：酸洗和s42：第二次純水噴淋。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅片清洗方法，其特征在于：所述s42中，第二次純水噴淋五次，溫度為20～25℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片清洗方法，其特征在于：所述s3中，將氫氧化鉀濃度為1～20mol/L的氫氧化鉀溶液經(jīng)噴淋的形式噴淋至硅片表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片清洗方法，其特征在于：所述s41中，將硅片浸泡在硝酸濃度為1～20mol/L的硝酸溶液中。