[發明專利]截止移位光纖

在審

• 申請號: 201910940610.2
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN112305666A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 阿派克莎·馬爾維亞;斯里尼瓦斯·雷迪;馬累斯瓦拉饒·蘭卡;阿南德·庫瑪·潘迪
• 申請（專利權）人: 斯特里特技術有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/028
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 顧一明

本發明公開了截止偏移光纖。光纖(100)包括從中心縱向軸線(112)延伸到第一軸線的芯部(102)半徑r1。此外，光纖(100)包括延伸的第一溝槽區域(106)從第二半徑r2到第三半徑r3，第二溝槽區域(108)延伸從第三半徑r3到第四半徑r4和包層區域(110)延伸從第四半徑r4到第五半徑r5。

技術領域

本發明涉及光纖領域。尤其,涉及具有高模場直徑的截止偏移光纖。

背景技術

隨著科學技術的進步,各種現代技術被用于交流目的。最重要的現代之一通信技術是光纖通信技術使用各種光纖。光纖用于傳輸信息作為光脈沖從一端到另一端。電信業是一直努力設計實現高光信噪比和低損耗正在進行的研究建議G.654E的光纖類是G.654B的改進版和G.652.D的替代品面臨400G傳輸的挑戰由于非線性影響在地域長途通信中。此外,主要挑戰有400G長途通信是由于非線性效應。低光信噪比和高衰減。

鑒于上述討論，需要一種光纖克服了上述缺點。

發明內容

本發明涉及一種截止偏移光纖，光纖包括芯。另外，光纖包括第一溝槽區域。此外，光纖包括第二溝槽區域。此外，光纖包括包層區域。芯具有第一相對折射率Δ1。第一次相對屈光芯的折射率Δ1在約0至0.12的范圍內。而且，第一溝槽區域具有相對折射率Δ3。第一溝槽區域具有第一α溝槽-1。第二溝槽區域與第一溝槽區域相鄰。第二個溝槽區域具有相對折射率Δ4。而且，第二溝槽區域具有第二溝槽區域α溝-2。包層區域圍繞第二溝槽區域。光學光纖100在1550波長處具有小于或等于0.17dB/km的衰減納米光纖的模場直徑在約12微米的范圍內到13微米。光纖的纖芯和溝槽區域逐漸變化折射率分布。本公開的主要目的是提供一種大的光纖模場直徑。

本公開的又一個目的是提供低失利光纖。在一方面，本發明提供一種光纖。光纖包括一個芯。

另外，光纖包括第一溝槽區域。而且，光纖包括第二溝槽區域。此外，光纖是包層區域。芯具有第一相對折射率Δ1。第一相對屈光芯的折射率Δ1在約0至0.12的范圍內.而且，第一溝槽區域由相對折射率Δ3定義。第一溝槽區域具有第一α溝-1。

第二溝槽區域與第一溝槽區域相鄰。第二溝槽區域具有相對折射率Δ4。而且，第二溝槽區域具有a第二個α溝-2。包層區域圍繞第二溝槽區域。光纖100在處具有小于或等于0.17dB/km的衰減波長為1550納米。光纖的模場直徑為范圍約為12微米至13微米。光纖的核心逐漸變化和折射率分布的溝槽區域本公開的主要目的是提供一種大的光纖模場直徑。

本公開的又一個目的是提供低光纖失利在一方面，本發明提供一種光纖。光纖包括一個核心。另外，光纖包括第一溝槽區域。而且，光纖包括第二溝槽區域。此外，光纖是包層區域。芯具有第一相對折射率Δ1。第一次相對屈光芯的折射率Δ1在約0至0.12的范圍內。而且，第一溝槽區域由相對折射率Δ3定義。第一溝槽區域具有第一α溝-1。第二溝槽區域與第一溝槽區域相鄰。第二溝槽區域具有相對折射率Δ4。而且，第二溝槽區域具有a第二個α溝-2。包層區域圍繞第二溝槽區域。光纖100在處具有小于或等于0.17dB/km的衰減波長為1550納米。光纖的模場直徑為范圍約為12微米至13微米。光纖的核心逐漸變化和折射率分布的溝槽區域在本公開的實施例中，光纖具有宏彎損耗相當于1550納米的波長，每100匝0.1分貝彎曲半徑約為30毫米，宏觀彎曲損耗高達0.1分貝/100在彎曲半徑約為30°時，對應于1625納米的波長毫米。在本公開的實施例中，光纖具有彩色分散范圍為每納米公里約17微

秒至23微微波長為1550納米的每納米公里第二。除此之外光纖的電纜截止波長可達1530納米。在本公開的實施例中，光纖還包括緩沖包層區域。緩沖包層區域由第二相對折射率限定Δ2。另外，緩沖包層區域將芯和第一溝槽區域分開。在本公開的實施例中，芯具有第一半徑r1。首先半徑r1在2.5微米至5微米和2微米至3.15中的至少一個的范圍內微米。

在本公開的實施例中，光纖還包括緩沖器包層區域。緩沖包層區域具有第二半徑r2。