[發明專利]截止移位光纖

在審

• 申請號: 201910940610.2
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN112305666A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 阿派克莎·馬爾維亞;斯里尼瓦斯·雷迪;馬累斯瓦拉饒·蘭卡;阿南德·庫瑪·潘迪
• 申請（專利權）人: 斯特里特技術有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/028
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 顧一明

1.一種截止偏移光纖，其特征在于，光纖(100)包括：芯(102)，其中芯(102)具有第一相對折射率指數Δ1；第一溝槽區域(106)，其中第一溝槽區域(106)具有第一溝槽區域(106)

相對折射率Δ3，其中第一溝槽區域具有第一溝道區域alphaαtrench-1；

第二溝槽區域(108)，其中第二溝槽區域(108)與第一溝槽區域(106)相鄰，其中第二溝槽區域(106)第二溝槽區域(108)具有相對折射率Δ4，其中第二溝槽區域具有第二α溝槽-2；和包層區域(110)，其中包層區域(110)圍繞第二溝槽區域(108)，其中光纖(100)的衰減小于或等于在1550納米波長處為0.17dB/km，其中光學光纖(100)的模場直徑在約12微米至100微米的范圍內13微米。

2.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，芯(102)的第一相對折射率Δ1在0至0.12的范圍內。

3.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，所述光纖(100)具有折射率分布的核心和溝槽區域的逐漸變化。

4.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，光纖(100)具有at至少有一個宏彎損耗高達0.1分貝，每100轉對應一次在彎曲半徑約為30毫米的波長為1550納米和宏觀彎曲每100匝損耗高達0.1分貝，相當于1625納米的波長彎曲半徑約為30毫米。

5.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，光纖(100)具有在每納米-30約17皮秒的范圍內的色散波長為1550納米，每納米公里23微米至23皮秒，其中光纖(100)的電纜截止波長高達1530納米。

6.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，還包括緩沖包層區域(104)，其中緩沖包層區域(104)具有第二相對折射率Δ2，其中緩沖包層區域(104)將芯(102)和第一溝槽區域(106)分開。

7.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，所述芯(102)首先具有10個半徑r1，其中第一半徑r1在2.5微米至微米中的至少一個的范圍內和2微米到3.15微米。

8.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，還包括緩沖包層區域(104)，其中緩沖包層區域(104)具有第二半徑r2，其中第二半徑為r2半徑r2在5微米至7微米和3微米至6微米中的至少一個的范圍內，其中緩沖包層區域(104)具有約的第二相對折射率Δ20。

9.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，包層區域(110)具有a第五半徑r5，其中第五半徑r5約為62.5微米，其中包層區域(110)的第三相對折射率Δ5約為0。

10.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，第一溝槽區域(106)具有第三半徑r3，其中第三半徑r3在12微米中的至少一個的范圍內到16微米和12微米到20微米，其中相對折射率Δ3是-0.25到-0.35和-0.3到-0.46中的至少一個的范圍，其中第一個alphaαtrench-1第一溝槽區域(106)的厚度在3至6和1.5至2中的至少一個的范圍內。

11.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，第二溝槽區域(108)具有第四半徑r4，其中第四半徑r4在24的東側之一的范圍內微米至28微米和26微米至30微米，其中相對折射率為Δ4在-0.4至-0.55和-0.41至-0.57中的至少一個的范圍內，其中第二α第二溝槽區域(108)的α溝槽-2在3至6和5中的至少一個的范圍內到9。

12.如權利要求1所述的光纖(100)，其特征在于，相對折射率指數Δ4大于相對折射率Δ3。