[發(fā)明專利]斷線熱點(diǎn)的光刻友善性設(shè)計(jì)檢查方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910938176.4
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN110658696B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳江先;朱忠華;姜立維;魏芳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發(fā)明公開了一種斷線熱點(diǎn)的光刻友善性設(shè)計(jì)檢查方法，包括：步驟一、進(jìn)行仿真形成曝光仿真輪廓圖形；步驟二、對設(shè)計(jì)圖形按設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行分類；步驟三、確定各類輪廓圖形的線尾過濾區(qū)域?qū)挾葏⒘恐担翰襟E31、在輪廓圖形的尾部確定多個(gè)依次增加的截取橫坐標(biāo)；在各截取橫坐標(biāo)處截取輪廓圖形的寬度；步驟32、統(tǒng)計(jì)出各類輪廓圖形在各截取位置處的寬度最小值并作為截邊寬度最小值，作出截邊寬度最小值隨截取橫坐標(biāo)變化的趨勢圖；步驟33、從趨勢圖確定拐點(diǎn)位置對應(yīng)的橫坐標(biāo)并作為線尾過濾區(qū)域?qū)挾葏⒘恐担徊襟E四、按照線尾過濾區(qū)域?qū)挾葏⒘恐荡_定線尾過濾區(qū)的大小，進(jìn)行光刻友善性設(shè)計(jì)檢查。本發(fā)明能在保證真正斷線熱點(diǎn)不漏報(bào)的前提下減少熱點(diǎn)數(shù)量，從而提高工作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種斷線(Line Pinch)熱點(diǎn)的光刻友善性設(shè)計(jì)檢查(Lithography Friendly Check，LFC)方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路工藝不斷地向更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，在電路版圖中，難免會出現(xiàn)一些可能導(dǎo)致晶圓電路斷路即斷線的設(shè)計(jì)，也即，即使設(shè)計(jì)的版圖符合設(shè)計(jì)規(guī)則，但是經(jīng)過實(shí)際光刻工藝后，實(shí)際電路圖形依然會出現(xiàn)例如斷線、短接或接觸不良等問題，版圖上出現(xiàn)這些問題的區(qū)域稱為光刻熱點(diǎn)區(qū)域。因此，在流片前，對這些可能會影響產(chǎn)品性能的光刻熱點(diǎn)，需通過光刻友善性設(shè)計(jì)檢查(LFC)進(jìn)行查找并及時(shí)向設(shè)計(jì)者反饋，本發(fā)明主要涉及到光刻熱點(diǎn)中的斷線熱點(diǎn)的檢查。

對于目標(biāo)版圖中可能導(dǎo)致斷路的設(shè)計(jì)，當(dāng)前光刻友善性設(shè)計(jì)檢查中采用的方式是最小斷線寬度檢查(MWC)。MWC是基于實(shí)際的工藝窗口建立的光刻模型，通過對不同曝光條件進(jìn)行仿真，生成可體現(xiàn)圖形輪廓變化的帶狀區(qū)域。于是，通過對目標(biāo)版圖的設(shè)計(jì)線寬和光刻仿真線寬進(jìn)行檢查，就可以將版圖中可能導(dǎo)致斷線的設(shè)計(jì)作為熱點(diǎn)標(biāo)記出來。

但是，由于靠近線尾的圖形輪廓是逐步收縮的，若不對該區(qū)域進(jìn)行過濾處理，則該區(qū)域均會被視作斷線熱點(diǎn)，從而使得MWC檢查的結(jié)果中熱點(diǎn)數(shù)量劇增。因此，在運(yùn)行MWC前，需對線尾過濾區(qū)域的寬度值進(jìn)行定義。現(xiàn)今，對于線尾過濾區(qū)域?qū)挾鹊暮侠砣≈瞪腥狈ε袛嘁罁?jù)，若取值過小，則會使得熱點(diǎn)數(shù)目過于繁多；若取值過大，則可能會使得真正導(dǎo)致斷線的熱點(diǎn)漏報(bào)。

如圖1所示，是現(xiàn)有光刻友善性設(shè)計(jì)檢查方法中采用MWC進(jìn)行斷線熱點(diǎn)檢測的原理示意圖；圖1中顯示了版圖102的一個(gè)設(shè)計(jì)圖形103對應(yīng)的尾部區(qū)域，設(shè)計(jì)圖形103的輪廓為方形；光刻模擬仿真形成的曝光仿真圖形的輪廓不再是方形，圖1中顯示了體現(xiàn)工藝變化的不同曝光仿真圖形的輪廓形成的帶狀區(qū)域(PV-band)101，帶狀區(qū)域101位于內(nèi)輪廓圖形105a和外輪廓線105b之間。MWC檢測發(fā)現(xiàn)內(nèi)輪廓圖形105a位于位置106處對應(yīng)的設(shè)計(jì)圖形103的寬度d101雖然滿足要求，但是該位置106的寬度d102小于一定的值，，則會認(rèn)為位置106處存在斷線熱點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行MWC之前需要將線尾過濾區(qū)域104過濾掉，這樣在進(jìn)行MWC是不需要考慮線尾過濾區(qū)域104的熱點(diǎn)情況。現(xiàn)有方法中，線尾過濾區(qū)域104的寬度d103僅是通過經(jīng)驗(yàn)確定，所以無法準(zhǔn)確的確定線尾過濾區(qū)域104的大小。從而容易出現(xiàn)真正斷線熱點(diǎn)漏報(bào)或者虛假斷線熱點(diǎn)過多的情形。因此，如何合理設(shè)定線尾過濾區(qū)域?qū)挾葏⒘恐?minLineEnd)，在保證真正斷線熱點(diǎn)不漏報(bào)的前提下盡量減少熱點(diǎn)數(shù)量，對于發(fā)現(xiàn)光刻工藝熱點(diǎn)，提高工作效率具有重大意義。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種斷線熱點(diǎn)的光刻友善性設(shè)計(jì)檢查方法，能在保證真正斷線熱點(diǎn)不漏報(bào)的前提下減少熱點(diǎn)數(shù)量，從而提高工作效率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的斷線熱點(diǎn)的光刻友善性設(shè)計(jì)檢查方法包括如下步驟：

步驟一、對原始設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行光刻模擬仿真并形成曝光仿真圖形，從所述曝光仿真圖形產(chǎn)生用于斷線熱點(diǎn)檢查的輪廓圖形。

步驟二、將所述原始設(shè)計(jì)版圖對應(yīng)的設(shè)計(jì)圖形按設(shè)計(jì)線寬進(jìn)行分類，每一類所述設(shè)計(jì)圖形都包括多個(gè)所述輪廓圖形。