[發明專利]斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法有效
| 申請號: | 201910938176.4 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN110658696B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 陳江先;朱忠華;姜立維;魏芳 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201315 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 斷線 熱點 光刻 友善 設計 檢查 方法 | ||
1.一種斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、對原始設計版圖進行光刻模擬仿真并形成曝光仿真圖形,從所述曝光仿真圖形產生用于斷線熱點檢查的輪廓圖形;
步驟二、將所述原始設計版圖對應的設計圖形按設計線寬進行分類,每一類所述設計圖形都包括多個所述輪廓圖形;
步驟三、按照所述設計圖形的分類確定各類所述設計圖形對應的所述輪廓圖形的線尾過濾區域寬度參量值,包括如下分步驟:
步驟31、令所述設計圖形的長度方向為橫向,所述設計圖形的寬度為縱向,所述設計圖形的長度方向的尾部對應的橫坐標為零,初始橫坐標為大于等于零的橫坐標,從所述初始橫坐標開始,確定多個截取橫坐標,各所述截取橫坐標的值依次增加;
在各所述截取橫坐標處對各所述設計圖形對應的所述輪廓圖形進行截取并讀取各所述截取橫坐標處的所述輪廓圖形在縱向上的寬度;
步驟32、統計出各類所述設計圖形對應的所述輪廓圖形在各所述截取位置處的寬度最小值并作為截邊寬度最小值,作出所述截邊寬度最小值隨所述截取橫坐標變化的趨勢圖;
步驟33、從所述趨勢圖確定拐點位置對應的橫坐標并根據所述拐點位置的橫坐標來定義所述線尾過濾區域寬度參量值;
步驟四、按照所述線尾過濾區域寬度參量值確定線尾過濾區的大小,之后進行光刻友善性設計檢查并檢查出斷線熱點,檢查區域排除了所述線尾過濾區。
2.如權利要求1所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述原始設計版圖至少包含客戶設計層與目標制造圖形層。
3.如權利要求2所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述客戶設計層包含的所述設計圖形的線寬類型包括3種以上,各種所述線寬對應的所述設計圖形數量不少于106個。
4.如權利要求1所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述輪廓圖形為由最窄曝光仿真圖形的輪廓形成的內輪廓圖形。
5.如權利要求4所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述光刻友善性設計檢查采用最小斷線寬度檢查方法確定所述斷線熱點。
6.如權利要求1所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:步驟31中,各所述截取橫坐標依次增加的值相同。
7.如權利要求6所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:各所述截取橫坐標為最小設計線寬的1.5倍以下。
8.如權利要求6所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:步驟31中通過循環腳本自動確定的各所述截取橫坐標并進行自動截取和讀取各所述截取橫坐標處的所述輪廓圖形在縱向上的寬度。
9.如權利要求8所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述循環腳本的步長取各所述截取橫坐標依次增加的值。
10.如權利要求9所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:所述循環腳本的步長為1nm~5nm。
11.如權利要求1所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:步驟四中還包括根據所述斷線熱點的檢查結果對所述線尾過濾區域寬度參量值進行微調的步驟,通過所述微調使所述線尾過濾區域寬度參量值優化并得到所述線尾過濾區域寬度參量值的最優值,最優值對應的所述線尾過濾區域寬度參量值在保證真正斷線熱點不漏報的條件下虛假斷線熱點的數量最少。
12.如權利要求4所述的斷線熱點的光刻友善性設計檢查方法,其特征在于:步驟一中,所述光刻模擬仿真采用實際光刻的工藝窗口模型,包含了所有曝光條件。
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