[發明專利]基板處理裝置和檢查方法在審
| 申請號: | 201910936746.6 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN111009478A | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 濱田佳志;桾本裕一朗;羽山隆史 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 檢查 方法 | ||
本發明提供一種使攝像圖像的質量提高的基板處理裝置和檢查方法,該攝像圖像在利用對被處理基板進行處理的基板處理裝置進行處理時的檢查中使用。對被處理基板進行處理的基板處理裝置具有:旋轉保持部,其保持被處理基板并使該被處理基板旋轉;攝像部,該攝像部的攝像區域包括被所述旋轉保持部保持的被處理基板的表面;光源,其向所述攝像部的所述攝像區域照射光;檢查部,其基于所述攝像部的攝像結果來進行檢查;以及選擇部,其基于得到該攝像結果時的被處理基板的朝向來選擇要在所述檢查中使用的攝像結果。
技術領域
本公開涉及一種基板處理裝置和檢查方法。
背景技術
專利文獻1公開了一種判定從位于處理對象物的上方的噴嘴朝向該處理對象物的上表面流下的液體的流下狀態的流下判定方法。在該方法中,以將從噴嘴到處理對象物的上表面的液體的流下路徑包括在攝像視野中的方式進行攝像。接著,在拍攝到的圖像中的與流下路徑對應的評價對象區域內,針對由沿液體的流下方向排成一列的像素構成的每個像素列,計算屬于該像素列的像素的像素值的合計值。而且,基于沿著與流下方向正交的正交方向的合計值的變化方式,來判定有無液體流下。
專利文獻1:日本特開2017-29883號公報
發明內容
本公開所涉及的技術使攝像圖像的質量提高,所述攝像圖像在利用對被處理基板進行處理的基板處理裝置進行處理時使用。
本公開的一個方式是基板處理裝置,所述基板處理裝置對被處理基板進行處理,所述基板處理裝置具有:旋轉保持部,其保持被處理基板并使該被處理基板旋轉;攝像部,該攝像部的攝像區域包括被所述旋轉保持部保持的被處理基板的表面;光源,其向所述攝像部的所述攝像區域照射光;檢查部,其基于所述攝像部的攝像結果來進行檢查;以及選擇部,其基于得到該攝像結果時的被處理基板的朝向來選擇要在所述檢查中使用的攝像結果。
根據本公開,能夠使攝像圖像的質量提高,所述攝像圖像在利用對被處理基板進行處理的基板處理裝置進行處理時使用。
附圖說明
圖1是示意性地表示具備作為第一實施方式所涉及的基板處理裝置的抗蝕膜形成裝置的基板處理系統的結構的概要的俯視圖。
圖2是示意性地表示具備作為第一實施方式所涉及的基板處理裝置的抗蝕膜形成裝置的基板處理系統的結構的概要的主視圖。
圖3是示意性地表示具備作為第一實施方式所涉及的基板處理裝置的抗蝕膜形成裝置的基板處理系統的結構的概要的后視圖。
圖4是表示抗蝕膜形成裝置的結構的概要的縱剖截面圖。
圖5是表示抗蝕膜形成裝置的結構的概要的橫剖截面圖。
圖6是表示控制部的與抗蝕膜形成裝置的檢查有關的結構的概要的框圖。
圖7是在利用抗蝕膜形成裝置進行處理時的檢查中使用的攝像機的攝像結果的檢查對象區域的說明圖。
圖8是說明與被處理基板的朝向相應的、干擾光對攝像結果帶來的影響的圖。
圖9是表示攝像機的攝像元件的曝光定時和從該攝像元件輸出攝像結果的輸出定時的一例的時序圖。
圖10是表示使被處理基板的朝向每次偏移規定角度所得到的各攝像結果與亮度值之間的關系的圖。
圖11是說明被處理基板的轉速及攝像機的幀頻與檢查時的光源的發光定時之間的關系的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





