[發明專利]一種生長基板及微元件的轉移方法有效
| 申請號: | 201910936701.9 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN112582343B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 姚志博;夏繼業;曹軒;郭恩卿 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 611731 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生長 元件 轉移 方法 | ||
本申請公開了一種生長基板及微元件的轉移方法,所述生長基板包括:透明襯底;多個微元件,形成于所述透明襯底一側,且多個所述微元件間隔設置;多個透明間隔件,相鄰所述微元件之間的間隔內設置有所述透明間隔件,其中,在激光照射作用下,所述微元件與所述透明襯底脫離,而所述透明間隔件與所述透明襯底不脫離。通過上述方式,本申請能夠在激光剝離后使微元件不全部陷入鍵合膠層中。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種生長基板及微元件的轉移方法。
背景技術
LED(Light Emitting Diode,發光二極管)芯片顯示技術具有高亮度、高響應速度、低功耗、長壽命等優點,成為人們追求新一代顯示技術的研究熱點。
目前,在LED顯示面板制備過程中,激光剝離和批量轉移是十分重要的兩道工藝。激光剝離的具體過程為:首先將帶有透明襯底的多個LED芯片完全壓合入鍵合膠層中,以使得多個LED芯片被鍵合膠層固定;然后激光從透明襯底一側進行照射,以使得多個LED芯片與透明襯底分離。批量轉移的具體過程為:利用拾取轉移頭將多個LED芯片進行轉移。
本申請的發明人在長期研究過程中發現,由于激光剝離時LED芯片完全陷入鍵合膠層中,后續拾取轉移頭拾取LED芯片較為困難,且轉移時較為費力。
發明內容
本申請主要解決的技術問題是提供一種生長基板及微元件的轉移方法,能夠在激光剝離后使微元件不全部陷入鍵合膠層中。
為解決上述技術問題,本申請采用的一個技術方案是:提供一種生長基板,所述生長基板包括:透明襯底;多個微元件,生長于所述透明襯底一側,且多個所述微元件間隔設置;多個透明間隔件,相鄰所述微元件之間的間隔內設置有所述透明間隔件,其中,在激光照射作用下,所述微元件與所述透明襯底脫離,而所述透明間隔件與所述透明襯底不脫離。
為解決上述技術問題,本申請采用的另一個技術方案是:提供一種微元件的轉移方法,所述轉移方法包括:將生長基板設置有所述微元件的一側嵌入鍵合膠層中,所述鍵合膠層與所述生長基板的透明襯底設置有所述微元件的一側表面齊平;其中,所述生長基板包括:所述透明襯底、多個所述微元件和多個透明間隔件;多個所述微元件生長于所述透明襯底一側,且多個所述微元件間隔設置,相鄰所述微元件之間的間隔區域內設置有所述透明間隔件;激光從所述透明襯底背離所述鍵合膠層一側進行照射,所述微元件與所述透明襯底脫離,而所述透明間隔件與所述透明襯底不脫離;將所述透明襯底和所述透明間隔件撤去,所述鍵合膠層對應所述透明間隔件的位置形成凹槽,所述微元件的至少部分側面從所述凹槽中露出;利用拾取轉移頭將所述微元件從所述鍵合膠層中轉移。
本申請的有益效果是:區別于現有技術的情況,本申請所提供的生長基板上的多個微元件之間間隔設置,且間隔區域內設置有透明間隔件。當激光剝離時,將生長基板設置有微元件的一側嵌入鍵合膠層中,鍵合膠層與透明襯底設置有微元件的一側表面齊平;激光從透明襯底背離鍵合膠層一側進行照射時,微元件與透明襯底脫離,而透明間隔件與透明襯底不脫離;隨后透明間隔件隨透明襯底一并被移除,鍵合膠層對應透明間隔件的位置形成凹槽,微元件從該凹槽中露出。即此時微元件的側面并未被鍵合膠層完全包裹,微元件部分裸露,該方式有利于微元件與拾取轉移頭接觸,方便拾取轉移頭將其從鍵合膠層中移走,且降低移走時鍵合膠層的阻力,提高微元件的轉移效率。
此外,在激光照射時,激光可以透過透明間隔件作用于位于透明間隔件下方的鍵合膠層,鍵合膠層在激光的作用下可能出現灰化,而喪失粘性,從而進一步降低轉移頭將微元件從鍵合膠層中移走時所受到的阻力,進一步提高微元件的轉移效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。其中:
圖1為本申請生長基板一實施方式的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





