[發明專利]一種生長基板及微元件的轉移方法

有效

• 申請號: 201910936701.9
• 申請日: 2019-09-29
• 公開（公告）號: CN112582343B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 姚志博;夏繼業;曹軒;郭恩卿
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L27/15
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

1.一種生長基板，其特征在于，所述生長基板包括：

透明襯底；

多個微元件，生長于所述透明襯底一側，且多個所述微元件間隔設置；

多個透明間隔件，相鄰所述微元件之間的間隔內設置有所述透明間隔件，其中，在激光照射作用下，所述微元件與所述透明襯底脫離，而所述透明間隔件與所述透明襯底不脫離；

轉移時，所述透明間隔件在鍵合膠層對應透明間隔件的位置形成凹槽，使所述微元件的至少部分側面從該凹槽中露出。

2.根據權利要求1所述的生長基板，其特征在于，

所述透明間隔件的材質為半導體材質，所述透明間隔件的材質具有第一禁帶寬度，所述微元件的外延層具有第二禁帶寬度，所述第一禁帶寬度大于所述第二禁帶寬度。

3.根據權利要求1所述的生長基板，其特征在于，

所述透明間隔件的材質為絕緣體材質，所述透明間隔件的材質包括氧化物或氮化物。

4.根據權利要求3所述的生長基板，其特征在于，

所述氧化物包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中至少一種，所述氮化物包括氮化硅。

5.根據權利要求1所述的生長基板，其特征在于，

所述透明間隔件的厚度不超過所述微元件的厚度。

6.根據權利要求5所述的生長基板，其特征在于，所述微元件包括：

第一摻雜外延層，與所述透明襯底直接接觸，包括第一區域和第二區域；

發光層，覆蓋所述第一區域；

第二摻雜外延層，覆蓋所述發光層遠離所述第一摻雜外延層一側表面；

第一電極，設置于所述第二摻雜外延層遠離所述發光層一側；

第二電極，自所述第二區域延伸至與所述第一電極齊平，且所述第一電極和所述第二電極在所述第一摻雜外延層上的正投影不重合；

其中，所述透明間隔件在遠離所述透明襯底的方向上不凸出于所述第一摻雜外延層。

7.根據權利要求5所述的生長基板，其特征在于，

所述透明間隔件的厚度為0.3-6微米。

8.根據權利要求1所述的生長基板，其特征在于，

所述透明間隔件為環形，且環繞在所述微元件周圍。

9.一種微元件的轉移方法，其特征在于，所述轉移方法包括：

將生長基板設置有所述微元件的一側嵌入鍵合膠層中，所述鍵合膠層與所述生長基板的透明襯底設置有所述微元件的一側表面齊平；其中，所述生長基板包括：所述透明襯底、多個所述微元件和多個透明間隔件；多個所述微元件生長于所述透明襯底一側，且多個所述微元件間隔設置，相鄰所述微元件之間的間隔區域內設置有所述透明間隔件；

激光從所述透明襯底背離所述鍵合膠層一側進行照射，所述微元件與所述透明襯底脫離，而所述透明間隔件與所述透明襯底不脫離，所述激光穿過所述透明間隔件并作用于所述透明間隔件對應位置處的所述鍵合膠層，以使得至少部分所述鍵合膠層灰化；

將所述透明襯底和所述透明間隔件撤去，所述鍵合膠層對應所述透明間隔件的位置形成凹槽，所述微元件的至少部分側面從所述凹槽中露出；

利用拾取轉移頭將所述微元件從所述鍵合膠層中轉移。

10.根據權利要求9所述的轉移方法，其特征在于，所述利用拾取轉移頭將所述微元件從所述鍵合膠層中轉移，之前，所述轉移方法還包括：

加熱或者UV光照使所述鍵合膠層的粘性降低。