[發明專利]用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法

有效

• 申請號: 201910933626.0
• 申請日: 2019-09-29
• 公開（公告）號: CN110716833B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 羅發治
• 申請（專利權）人: 東莞記憶存儲科技有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李翔宇

本發明公開了用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，包括：步驟S1，將待測的SSD與筆記本電腦連接；步驟S2，采用AC供電使所述筆記本電腦的電池電量充滿；步驟S3，利用數據讀取工具讀取所述SSD此時已進入的PS4狀態的次數和NAND FLASH的寫入量；步驟S4，斷開所述筆記本電腦的AC供電電源；步驟S5，對所述筆記本電腦采用DC供電，讓所述筆記本電腦處于空閑狀態至電量耗盡；步驟S6，所述筆記本電腦重新連上AC供電電源開機；步驟S7，再次利用所述數據讀取工具讀取所述SSD此時已進入PS4狀態的次數和NAND FLASH的寫入量；步驟S8，將步驟S3、S7獲得的NAND FLASH寫入量之差除以兩次進入PS4狀態次數之差，得到所述SSD單次進入PS4狀態時所引入的NAND FLASH寫入量。

技術領域

本發明涉及固態硬盤存儲技術領域，尤其涉及一種用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法。

背景技術

目前，筆記本電腦上的PCIe NVMe固態硬盤(Solid State Drive，SSD)幾乎都支持SSD進入PS4低功耗特性，當SSD進入PS4狀態時，SSD可使DDR和NAND FLASH處于掉電狀態。采用這種PS4低功耗方案的優點是可大幅度降低SSD在空閑時的功耗，從而有利于增強諸如筆記本電腦的電池續航能力；但缺點是，由于SSD上的DDR在掉電前會把其數據保存到NANDFLASH中，對于NAND FLASH而言，這無疑會帶來額外的寫入量，造成NAND FLASH的可編程/擦除(Program/Erase，簡稱P/E)次數的損耗，從而減少SSD的壽命，若SSD固件設計存在嚴重缺陷，則有可能在SSD每次進入PS4時，都因DDR的掉電而造成非常高的額外P/E損耗，從而大大縮短SSD的使用壽命。

因此，SSD廠商在對采用上述PS4方案的SSD產品進行內部測試時，通常會關注SSD單次進入PS4時所帶了的額外的寫入量，而測量方法往往是利用Ulink公司的DriveMaster軟件編寫測試腳本來模擬SSD在實際應用場景下，單次進入PS4時的寫入量。然而，這種測試方法存在以下缺點：

1)需要購買Ulink公司的DriveMaster軟件，這無疑大大增加了SSD的開發成本；

2)對于無DriveMaster腳本開發經驗的測試工程師而言，需要大量的時間學習該腳本的編寫，這不利于提高測試效率和及時測出SSD潛在的設計缺陷；

3)當使用DriveMaster軟件測試采用上述方案的PS4特性時，該測試環境往往需要獨立于SSD真實的應用場景，因此使用DriveMaster軟件有可能難以提前暴露SSD在實際應用環境下的設計缺陷。

公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發明的總體背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

基于上述原因本發明提出了一種用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NANDFLASH寫入量的方法。

發明內容

為了滿足上述要求，本發明的目的在于提供一種用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法。

為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，包括以下步驟：

步驟S1，將待測的SSD與筆記本電腦連接；

步驟S2，采用AC供電使所述筆記本電腦的電池電量充滿；

步驟S3，利用數據讀取工具讀取所述SSD此時已進入的PS4狀態的次數和NANDFLASH的寫入量；

步驟S4，斷開所述筆記本電腦的AC供電電源；