[發明專利]用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法有效
| 申請號： | 201910933626.0 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110716833B | 公開（公告）日： | 2023-03-21 |
| 發明（設計）人： | 羅發治 | 申請（專利權）人： | 東莞記憶存儲科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/22 | 分類號： | G06F11/22 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 李翔宇 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測量 ssd 進入 ps4 狀態 造成 nand flash 寫入 方法 | ||
1.用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1，將待測的SSD與筆記本電腦連接；
步驟S2，采用AC供電使所述筆記本電腦的電池電量充滿；
步驟S3，利用數據讀取工具讀取所述SSD此時已進入的PS4狀態的次數和NAND FLASH的寫入量；
步驟S4，斷開所述筆記本電腦的AC供電電源；
步驟S5，對所述筆記本電腦采用DC供電，且不對所述筆記本電腦進行任何操作，讓所述筆記本電腦處于空閑狀態，直至所述筆記本電腦的電池電量耗盡；
步驟S6，所述筆記本電腦重新連上AC供電電源，使所述筆記本電腦開機；
步驟S7，再次利用所述數據讀取工具讀取所述SSD此時已進入PS4狀態的次數和NANDFLASH的寫入量；
步驟S8，將步驟S3、S7獲得的NAND FLASH寫入量之差除以兩次進入PS4狀態次數之差，得到所述SSD單次進入PS4狀態時所引入的NAND FLASH寫入量。
2.根據權利要求1所述的用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，其特征在于，所述筆記本電腦安裝有Windows 10操作系統。
3.根據權利要求2所述的用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，其特征在于，所述筆記本電腦為支持進入PCIe鏈接電源狀態管理L1.2模式的筆記本電腦。
4.根據權利要求1所述的用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，其特征在于，所述數據讀取工具為讀取SSD狀態信息的程序。
5.根據權利要求1所述的用于測量SSD單次進入PS4狀態時所造成的NAND FLASH寫入量的方法，其特征在于，所述筆記本電腦運行所述數據讀取工具獲取SSD已進入PS4狀態的次數和NAND FLASH的寫入量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞記憶存儲科技有限公司，未經東莞記憶存儲科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910933626.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
