[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201910931750.3 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110970367A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 游力蓁;游家權;張家豪;林天祿;林佑明;王志豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構的制造方法，包括：
提供一半導體結構，具有多個金屬柵極結構、多個柵極間隔物設置于所述多個金屬柵極的多個側壁、以及多個源極/漏極部件設置鄰近于所述多個柵極間隔物；
形成一第一介電層于所述多個金屬柵極之上；
形成多個源極/漏極接觸件于所述多個源極/漏極部件之上，其中所述多個源極/漏極接觸件設置于該第一介電層的多個部分之間；
形成一第二介電層于該第一介電層之上，其中該第二介電層的多個部分與所述多個源極/漏極接觸件接觸，并且該第二介電層的組成與該第一介電層的組成不同；
移除該第二介電層與所述多個源極/漏極接觸件接觸的多個部分；
形成一導電層位于所述多個源極/漏極接觸件及該第一介電層之上；以及
移除該導電層的多個部分以形成在所述多個源極/漏極接觸件之上的多個導電部件。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
