[發(fā)明專利]晶圓清洗裝置及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910931640.7 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN112397414A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董學(xué)儒;蔡奉儒 | 申請(專利權(quán))人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 裝置 及其 操作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種晶圓清洗裝置及其操作方法,晶圓清洗裝置包含旋轉(zhuǎn)基底、第一手臂以及第二手臂。旋轉(zhuǎn)基底用以支撐晶圓。第一手臂位于旋轉(zhuǎn)基底上方并用以供給化學(xué)溶劑。第二手臂可移動地位于旋轉(zhuǎn)基底上方。其中當(dāng)?shù)谝皇直鄯钦5赝V构┙o化學(xué)溶劑時,第二手臂用以自旋轉(zhuǎn)基底上供給第一清潔溶劑。因此,本發(fā)明的晶圓清洗裝置可避免化學(xué)溶劑對于晶圓產(chǎn)生破壞。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種晶圓清洗裝置及其操作方法。
背景技術(shù)
在傳統(tǒng)的晶圓處理裝置中,供給化學(xué)溶液的手臂可能因機械問題而非正常地停止。若手臂無法被移動,則接續(xù)的工藝可能也因此停止,導(dǎo)致晶圓上的化學(xué)溶劑無法被去除。如此一來,化學(xué)溶劑可能過度蝕刻晶圓而使晶圓表面被破壞。因此,建造一種可在手臂非正常地停止供給化學(xué)溶劑時將化學(xué)溶劑移除的晶圓清洗裝置,為目前所急需研發(fā)的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種晶圓清洗裝置,其可避免化學(xué)溶劑對于晶圓產(chǎn)生破壞。
晶圓清洗裝置包含旋轉(zhuǎn)基底、第一手臂以及第二手臂。旋轉(zhuǎn)基底用以支撐晶圓。第一手臂位于旋轉(zhuǎn)基底上方并用以供給化學(xué)溶劑。第二手臂可移動地位于旋轉(zhuǎn)基底上方。其中當(dāng)?shù)谝皇直鄯钦5赝V构┙o化學(xué)溶劑時,第二手臂用以自旋轉(zhuǎn)基底上供給第一清潔溶劑。
在一些實施例中,當(dāng)?shù)谝皇直鄯钦5赝V构┙o化學(xué)溶劑時,第二手臂位于第一手臂與旋轉(zhuǎn)基底之間。
在一些實施例中,當(dāng)?shù)谝皇直鄯钦5赝V构┙o化學(xué)溶劑時,第二手臂與第一手臂重疊。
在一些實施例中,第二手臂還包含偵測器,用以通過紅外線偵測第一手臂的位置。
在一些實施例中,偵測器用以偵測第一手臂與第二手臂之間的距離。
在一些實施例中,偵測器用以偵測第一手臂相對于旋轉(zhuǎn)基底的高度。
在一些實施例中,晶圓清洗裝置還包含第一馬達(dá),用以驅(qū)動第一手臂。
在一些實施例中,晶圓清洗裝置還包含第二馬達(dá),用以驅(qū)動第二手臂。
在一些實施例中,第二馬達(dá)用以調(diào)整第二手臂的高度及位置。
在一些實施例中,第一清潔溶劑包含去離子水(Deionized Water,DI Water)或異丙醇(Isopropyl Alcohol,IPA)。
在一些實施例中,手臂還包含第一溶劑管路,位于第二手臂中,且第一溶劑管路用以輸送第一清潔溶劑。
在一些實施例中,第二手臂還包含第二溶劑管路,位于第二手臂中,且第二溶劑管路用以輸送第二清潔溶劑。
本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種晶圓清洗裝置的操作方法。
在一些實施例中,偵測第一手臂的位置是通過紅外線偵測方式執(zhí)行。
在一些實施例中,第二手臂是通過馬達(dá)移動。
在一些實施例中,移動第二手臂還包含調(diào)整第二手臂的高度及位置。
在一些實施例中,偵測第一手臂的位置還包含通過第二手臂的偵測器偵測第一手臂與第二手臂之間的距離。
在一些實施例中,偵測第一手臂的位置還包含通過第二手臂的偵測器偵測第一手臂相對于旋轉(zhuǎn)基底的高度。
在上述實施例中,當(dāng)?shù)谝皇直鄯钦5赝V箷r,晶圓清洗裝置的第二手臂可供給第一清潔溶劑以清洗晶圓,因此可避免對于晶圓的破壞的產(chǎn)生。除此之外,由于晶圓清洗裝置為單晶圓裝置,因此當(dāng)發(fā)生第一手臂非正常地停止的狀況時,第二手臂可被立即地控制以供給第一清潔溶劑。
附圖說明
圖1為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的晶圓清洗裝置100的側(cè)視圖。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





