[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201910926998.0
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110970381B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 郭宏瑞;李明潭;游珽崵
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/544;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

模塑料，密封第一集成電路管芯和第二集成電路管芯；

介電層，位于所述模塑料、所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯上方；以及

金屬化圖案，位于所述介電層上方并且將所述第一集成電路管芯電連接到所述第二集成電路管芯，其中，所述金屬化圖案包括多條沿著第一方向延伸的導線，并且其中，所述多條導線中的每條導線：

從所述金屬化圖案的第一區域穿過所述金屬化圖案的第二區域連續延伸至所述金屬化圖案的第三區域；以及

在所述金屬化圖案的第二區域中具有相同類型的制造異常，

其中，在所述第二區域中，所述導線包括相對側壁未對準的第一部分和第二部分，所述第一部分的沿所述第一方向的相對側壁和所述第二部分的沿所述第一方向的相對側壁均為平坦側壁。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二區域位于所述第一集成電路管芯和第二集成電路管芯之間的所述模塑料上方。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述介電層為聚合物。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述金屬化圖案包括銅、鈦、鎢、鋁。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述金屬化圖案的第二區域設置在第一對準標記和第二對準標記之間。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括，第三對準標記和第四對準標記，其中，所述金屬化圖案包括位于所述第三對準標記和所述第四對準標記之間的第二多條導線，并且其中，所述第一對準標記和所述第三對準標記之間的距離等于所述第二對準標記和所述第四對準標記之間的距離。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述金屬化圖案包括位于所述第一對準標記和所述第三對準標記之間的第三多條導線。

8.一種形成半導體器件的方法，包括：

將第一集成電路管芯和第二集成電路管芯密封在模塑料中；

在所述第一集成電路管芯、所述第二集成電路管芯和所述模塑料上方沉積晶種層；

在所述晶種層上方沉積光刻膠；

對所述光刻膠的第一圖案化區域實施第一曝光工藝以限定第一曝光區域；

在實施所述第一曝光工藝后，對所述光刻膠的第二圖案化區域實施第二曝光工藝，以限定第二曝光區域，其中，所述第一圖案化區域與所述第二圖案化區域在拼接區域中重疊；

顯影所述光刻膠以限定從所述第一圖案區域穿過所述拼接區域延伸到所述第二圖案區域的第一開口；

在所述第一開口中鍍導電材料，其中，所述導電材料電連接所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯；以及

去除所述光刻膠，

其中，實施所述第一曝光工藝包括減小所述拼接區域中的由所述第一曝光工藝施加的曝光強度，其中，由所述第一曝光工藝施加的曝光強度在朝向所述第二圖案化區域的方向上減小。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一曝光區域的形狀在所述拼接區域中是三角形。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二曝光區域的形狀在所述拼接區域中是三角形。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述導電材料的側壁在所述拼接區域中未對準。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，由所述第一曝光工藝施加的曝光強度在朝向所述第二圖案化區域的方向上連續減小。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，通過所述第一曝光工藝施加的曝光強度在朝向所述第二圖案化區域的方向上以離散間隔減小。