[發明專利]柵極結構的形成方法在審
| 申請號： | 201910924969.0 | 申請日： | 2019-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN110970295A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 程仲良;方子韋 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種柵極結構的形成方法，包括：
形成一溝槽于一半導體基板上的一層間介電層中，且該溝槽露出該半導體基板的上表面；
形成一界面層于該溝槽的底部；
形成一介電層于該溝槽中；
形成一功函數金屬層于該介電層上；
原位形成一氮化物層于該溝槽中的該功函數金屬層上；
進行一鈷的第一沉積工藝，以形成一鈷層于該溝槽中；
進行一鈷的第二沉積工藝，以增加該溝槽中的該鈷層的厚度；以及
進行一電化學鍍工藝以將鈷填入該溝槽。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
