[發(fā)明專(zhuān)利]線(xiàn)圈組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910923022.8
• 申請(qǐng)日: 2019-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111048295B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳正杰;柳志滿(mǎn);文炳喆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01F27/28
• 分類(lèi)號(hào): H01F27/28;H01F27/29;H01F27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王春芝;何巨

本發(fā)明提供一種線(xiàn)圈組件，所述線(xiàn)圈組件包括：主體；絕緣基板，嵌在所述主體中并且包括絕緣樹(shù)脂；以及第一基板保護(hù)層和第二基板保護(hù)層，覆蓋所述絕緣基板的相應(yīng)的表面以保護(hù)所述絕緣基板，并且所述第一基板保護(hù)層和所述第二基板保護(hù)層包括陶瓷。線(xiàn)圈部包括分別設(shè)置在所述第一基板保護(hù)層和所述第二基板保護(hù)層上的第一線(xiàn)圈圖案和第二線(xiàn)圈圖案。所述第一線(xiàn)圈圖案和所述第二線(xiàn)圈圖案中的每個(gè)包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在相應(yīng)的所述第一基板保護(hù)層或所述第二基板保護(hù)層上，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上并暴露所述第一導(dǎo)電層的側(cè)表面。

本申請(qǐng)要求于2018年10月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0122107號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種線(xiàn)圈組件。

背景技術(shù)

電感器(一種線(xiàn)圈組件)是通常與電阻器和電容器一起在電子裝置中使用的代表性無(wú)源電子組件。

薄膜型電感器通常通過(guò)如下操作來(lái)制造：通過(guò)鍍覆在基板上形成線(xiàn)圈以形成線(xiàn)圈基板，通過(guò)層壓通過(guò)將磁性粉末和樹(shù)脂彼此混合而獲得的磁性粉末-樹(shù)脂復(fù)合物形成主體，并在主體的外表面上形成外電極。

根據(jù)高性能電子裝置和其小型化的實(shí)施，在這種電子裝置中使用的薄膜型線(xiàn)圈組件也已經(jīng)小型化。因此，薄膜線(xiàn)圈電子組件的基板已經(jīng)變薄。

然而，當(dāng)基板逐漸變薄時(shí)，在制造工藝期間存在損壞基板的可能性極大。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一個(gè)方面在于提供一種可防止絕緣基板在制造工藝期間被損壞的線(xiàn)圈組件。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，一種線(xiàn)圈組件包括：主體；絕緣基板，嵌在所述主體中并包括絕緣樹(shù)脂；以及第一基板保護(hù)層和第二基板保護(hù)層，覆蓋所述絕緣基板的相應(yīng)的表面以保護(hù)所述絕緣基板，并且所述第一基板保護(hù)層和所述第二基板保護(hù)層包括陶瓷。線(xiàn)圈部包括分別設(shè)置在所述第一基板保護(hù)層和所述第二基板保護(hù)層上的第一線(xiàn)圈圖案和第二線(xiàn)圈圖案。所述第一線(xiàn)圈圖案和所述第二線(xiàn)圈圖案中的每個(gè)包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在相應(yīng)的所述第一基板保護(hù)層或所述第二基板保護(hù)層上，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上并暴露所述第一導(dǎo)電層的側(cè)表面。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種線(xiàn)圈組件包括：主體，包括磁性金屬粉末顆粒；絕緣基板，嵌在所述主體中；線(xiàn)圈部，包括設(shè)置在所述絕緣基板上的線(xiàn)圈圖案；以及基板保護(hù)層，設(shè)置在所述絕緣基板的在所述絕緣基板與所述線(xiàn)圈部之間的至少一個(gè)表面上以保護(hù)所述絕緣基板，所述基板保護(hù)層具有高于所述絕緣基板的熔點(diǎn)的熔點(diǎn)。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種線(xiàn)圈組件包括：絕緣基板；線(xiàn)圈部，包括設(shè)置在所述絕緣基板的相對(duì)的表面上的第一線(xiàn)圈圖案和第二線(xiàn)圈圖案；以及第一陶瓷層和第二陶瓷層，所述第一陶瓷層設(shè)置在所述絕緣基板與所述第一線(xiàn)圈圖案之間，所述第二陶瓷層設(shè)置在所述絕緣基板與所述第二線(xiàn)圈圖案之間。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上和其他方面、特征及優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開(kāi)中的示例實(shí)施例的線(xiàn)圈組件的示意圖；

圖2是沿著圖1的線(xiàn)I-I'截取的截面圖；

圖3是沿著圖1的線(xiàn)II-II'截取的截面圖；

圖4是圖2的A部分的放大圖；以及

圖5是根據(jù)本公開(kāi)中的另一示例實(shí)施例的線(xiàn)圈組件的示意圖，并且對(duì)應(yīng)于沿著圖1的線(xiàn)I-I'截取的截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖如下描述本公開(kāi)的實(shí)施例。