[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201910922040.4 | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN110970470A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 孫東鉉;文晟熏;金成準;戎野浩平;金德會;吳相訓 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 于會玲;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明公開一種顯示裝置及其制造方法。該顯示裝置包括:基底基板,包括在其中顯示圖像的顯示區域和與顯示區域相鄰的外圍區域;在基底基板上的源極/漏極圖案,源極/漏極圖案包括在外圍區域的焊盤部分中的連接電極和在顯示區域中的薄膜晶體管的電極;在基底基板上的平坦化絕緣層,平坦化絕緣層接觸連接電極的側表面和薄膜晶體管的電極的側表面并且暴露連接電極的頂表面;接觸連接電極的連接構件;以及包括驅動電路的驅動構件,驅動構件連接到連接構件。
技術領域
示例性實施例涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法。
背景技術
近來,已經制造出重量輕且尺寸小的顯示裝置。由于性能和有競爭力的價格,陰極射線管(CRT)顯示裝置已經被使用。然而,CRT顯示裝置具有尺寸或便攜性的弱點。因此,期望尺寸小、重量輕并且功耗低的諸如等離子體顯示裝置、液晶顯示裝置或有機發光顯示裝置的顯示裝置。
發明內容
實施例涉及一種顯示裝置,包括:基底基板,包括在其中顯示圖像的顯示區域和與顯示區域相鄰的外圍區域;在基底基板上的源極/漏極圖案,源極/漏極圖案包括在外圍區域的焊盤部分中的連接電極和在顯示區域中的薄膜晶體管的電極;在基底基板上的平坦化絕緣層,平坦化絕緣層接觸連接電極的側表面和薄膜晶體管的電極的側表面并且暴露連接電極的頂表面;接觸連接電極的連接構件;以及包括驅動電路的驅動構件,驅動構件連接到連接構件。
連接電極可以包括第一層圖案和在第一層圖案上的第二層圖案。第一層圖案的構成材料和第二層圖案的構成材料可以彼此不同。第二層的頂表面可以接觸連接構件。
顯示裝置可以進一步包括在平坦化絕緣層上的通孔絕緣層和在通孔絕緣層上的第一電極,第一電極電連接到薄膜晶體管。第一電極可以包括銀(Ag)。
連接電極的頂表面具有比連接電極的底表面小的平面區域,使得連接電極具有恒定的漸縮的橫截面。
顯示裝置還可以包括:在平坦化絕緣層上的通孔絕緣層;在通孔絕緣層上的發光結構,發光結構電連接到薄膜晶體管;在發光結構上的薄膜封裝層;以及直接在薄膜封裝層上的觸摸結構。
顯示裝置可以進一步包括在平坦化絕緣層和基底基板之間以及在平坦化絕緣層和源極/漏極圖案的側表面之間的停止層圖案。停止層圖案可以包括與平坦化絕緣層不同的材料。
停止層圖案可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
停止層圖案可以包括有機絕緣材料。
源極/漏極圖案可以被容納在平坦化絕緣層的頂表面上的凹部中。連接電極的側表面和底表面可以接觸平坦化絕緣層。
實施例還涉及一種制造顯示裝置的方法,包括:在基底基板上形成源極/漏極圖案,基底基板包括將在其中顯示圖像的顯示區域和與顯示區域相鄰的外圍區域,源極/漏極圖案包括在外圍區域的焊盤部分中的連接電極和設置在顯示區域中的薄膜晶體管的電極;在其上形成源極/漏極圖案的基底基板上形成初始絕緣層;形成平坦化絕緣層,平坦化絕緣層通過去除絕緣層的一部分來暴露連接電極的頂表面;以及使用在連接電極和包括驅動電路的驅動構件之間的連接構件,連接連接電極和驅動構件。
形成源極/漏極圖案可以包括:順序地形成第一層和第二層,第二層由與第一層不同的材料制成;以及通過蝕刻第二層和第一層來形成源極/漏極圖案。
該方法可以進一步包括在平坦化絕緣層上形成通孔絕緣層并在通孔絕緣層上形成包括銀(Ag)的第一電極。
形成平坦化絕緣層可以包括:通過化學機械平坦化(CMP)工藝去除初始絕緣層的設置在連接電極上的一部分,以暴露連接電極的頂表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910922040.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





