[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910922040.4
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110970470A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 孫東鉉;文晟熏;金成準;戎野浩平;金德會;吳相訓
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 于會玲;康泉

1.一種顯示裝置，包括：

基底基板，包括在其中顯示圖像的顯示區(qū)域和與所述顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；

在所述基底基板上的源極/漏極圖案，所述源極/漏極圖案包括在所述外圍區(qū)域的焊盤部分中的連接電極和在所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的電極；

在所述基底基板上的平坦化絕緣層，所述平坦化絕緣層接觸所述連接電極的側(cè)表面和所述薄膜晶體管的所述電極的側(cè)表面并且暴露所述連接電極的頂表面；

與所述連接電極接觸的連接構(gòu)件；和

包括驅(qū)動電路的驅(qū)動構(gòu)件，所述驅(qū)動構(gòu)件連接到所述連接構(gòu)件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述連接電極包括第一層圖案和在所述第一層圖案上的第二層圖案，

所述第一層圖案的構(gòu)成材料和所述第二層圖案的構(gòu)成材料彼此不同，并且

所述第二層圖案的頂表面接觸所述連接構(gòu)件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，進一步包括：

在所述平坦化絕緣層上的通孔絕緣層；和

在所述通孔絕緣層上的第一電極，所述第一電極電連接到所述薄膜晶體管，并且

其中所述第一電極包括銀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述連接電極的頂表面具有比所述連接電極的底表面小的平面區(qū)域，使得所述連接電極具有恒定的漸縮的橫截面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：

在所述平坦化絕緣層上的通孔絕緣層；

在所述通孔絕緣層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)電連接到所述薄膜晶體管；

在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的薄膜封裝層；和

直接在所述薄膜封裝層上的觸摸結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：

在所述平坦化絕緣層和所述基底基板之間以及在所述平坦化絕緣層和所述源極/漏極圖案的側(cè)表面之間的停止層圖案，所述停止層圖案包括與所述平坦化絕緣層不同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述停止層圖案包括氧化硅或氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述停止層圖案包括有機絕緣材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述源極/漏極圖案被容納在所述平坦化絕緣層的頂表面上的凹部中，并且

所述連接電極的所述側(cè)表面和底表面接觸所述平坦化絕緣層。

10.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

在基底基板上形成源極/漏極圖案，所述基底基板包括將在其中顯示圖像的顯示區(qū)域和與所述顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域，所述源極/漏極圖案包括在所述外圍區(qū)域的焊盤部分中的連接電極和設置在所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的電極；

在其上形成所述源極/漏極圖案的所述基底基板上形成初始絕緣層；

形成平坦化絕緣層，所述平坦化絕緣層通過去除所述初始絕緣層的部分來暴露所述連接電極的頂表面；和

使用所述連接電極和包括驅(qū)動電路的驅(qū)動構(gòu)件之間的連接構(gòu)件，連接所述連接電極和所述驅(qū)動構(gòu)件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述源極/漏極圖案包括：

順序地形成第一層和第二層，所述第二層由與所述第一層不同的材料制成；和

通過蝕刻所述第二層和所述第一層形成所述源極/漏極圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述平坦化絕緣層上形成通孔絕緣層；和

在所述通孔絕緣層上形成包括銀的第一電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述平坦化絕緣層包括：通過化學機械平坦化工藝去除所述初始絕緣層的設置在所述連接電極上的部分，以暴露所述連接電極的頂表面。