[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910921948.3
• 申請(qǐng)日: 2019-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112582565B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王勁;楊一行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。該發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述陰極的材料包括陰極納米材料和分散在所述陰極納米材料之間的聚多巴胺或多巴胺。經(jīng)聚多巴胺或多巴胺修飾的電極，膜層表面缺陷得到抑制、界面結(jié)合能力和載流子傳輸能力均得到改善，從而提高了器件的發(fā)光性能和使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)及有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具備高亮度、低功耗、廣色域、易加工等諸多優(yōu)點(diǎn)在照明和顯示領(lǐng)域獲得了廣泛的關(guān)注與研究。

QLED或OLED是由兩個(gè)電極和在電極與發(fā)光層之間添加各種功能層形成的類似“三明治”的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，這些功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等。各薄膜層的成膜質(zhì)量和界面結(jié)合會(huì)極大程度地影響器件的各項(xiàng)性能。目前的器件和相關(guān)材料大都是在低溫條件下(≤300℃)制備，對(duì)設(shè)備要求相應(yīng)的降低，有利于簡(jiǎn)化工藝和降低成本。然而，低溫法制備的電子傳輸層材料，其表面缺陷多，電子遷移率低，且成膜過(guò)程中易出現(xiàn)成膜不均勻、存在針孔等現(xiàn)象；傳統(tǒng)陰極材料，特別是金屬電極材料，易受到水、氧等環(huán)境因素的影響；此外，傳統(tǒng)陰極材料與電子傳輸層材料在材料結(jié)構(gòu)和性能方面差異較大，形成的膜層界面連接不緊密，存在界面缺陷。上述因素會(huì)導(dǎo)致漏電流、非輻射躍遷和界面電荷積累等的發(fā)生，嚴(yán)重影響器件發(fā)光性能和壽命。

因此，現(xiàn)有技術(shù)有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光器件及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有器件中的陰極材料易受環(huán)境水氧影響，且因材料結(jié)構(gòu)和性能方面差異與相鄰層之間存在界面缺陷，從而影響器件的發(fā)光性能和使用壽命的技術(shù)問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明一方面提供一種發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述陰極的材料包括陰極納米材料和分散在所述陰極納米材料之間的聚多巴胺或多巴胺。

本發(fā)明提供的發(fā)光器件中的陰極含有陰極納米材料和聚多巴胺或多巴胺，當(dāng)多巴胺和陰極納米材料復(fù)合形成電極時(shí)，陰極納米材料可以均勻分布，聚多巴胺或多巴胺可以對(duì)陰極納米材料起到很好的保護(hù)作用；該聚多巴胺或多巴胺分子結(jié)構(gòu)中含有鄰苯二酚，可以通過(guò)豐富的氫鍵等方式與陰極納米材料產(chǎn)生強(qiáng)烈的黏附效果，能夠大大地改善陰極成膜質(zhì)量，并提高陰極的界面結(jié)合度；而且聚多巴胺或多巴胺結(jié)構(gòu)中的鄰苯二酚與陰極相鄰相膜層材料表面的缺陷點(diǎn)位形成偶聯(lián)共軛結(jié)構(gòu)，從而對(duì)膜層表面進(jìn)行有效鈍化，抑制表面缺陷態(tài)。此外，聚多巴胺或多巴胺本身具有較好的載流子傳輸能力，與陰極納米材料一起作為復(fù)合電極，其載流子傳輸能力顯著提高。總之，經(jīng)聚多巴胺或多巴胺修飾的電極，膜層表面缺陷得到抑制、界面結(jié)合能力和載流子傳輸能力均得到改善，從而提高了器件的發(fā)光性能和使用壽命。

本發(fā)明另一方面提供一種發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

提供基板；

在所述基板上制備陰極，所述陰極含有陰極納米材料和分散在所述陰極納米材料之間的聚多巴胺或多巴胺。

本發(fā)明提供的發(fā)光器件的制備方法，工藝簡(jiǎn)單，可大規(guī)模制備，該制備方法中直接形成了一層含有聚多巴胺或多巴胺的陰極，該陰極中的聚多巴胺或多巴胺分散在陰極納米材料之間，經(jīng)該聚多巴胺或多巴胺修飾的電極，表面缺陷得到抑制、界面結(jié)合能力和載流子傳輸能力均得到改善，從而提高了器件的發(fā)光性能和使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法流程示意圖。