[發明專利]半導體器件以及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201910919132.7
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110970411A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 渡邊昌崇;河野直哉;菊地健彥
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/485;G02F1/025
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

本發明涉及一種半導體器件以及制造半導體器件的方法，該半導體器件包括：半導體層，其形成在基板上；第一樹脂層，其形成在半導體層上；第二樹脂層，其形成在第一樹脂層上；第一布線層，其形成在半導體層上，并且被掩埋在第二樹脂層中；第二布線層，其形成在第二樹脂層和第一布線層上，并且與第一布線層電連接；以及第一無機絕緣膜，其覆蓋第二樹脂層和第二布線層，其中，第一布線層的面積大于第二布線層的面積。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件以及制造該半導體器件的方法。

背景技術

在半導體器件中，半導體層可以用樹脂等掩埋，并且布線層可以形成在半導體層上(例如，參見WO2017/212888以及日本專利申請公開No.2012-252290)。

發明內容

為了改進樹脂的防護性能和防潮性，可以利用無機絕緣膜覆蓋樹脂的上表面。然而，無機絕緣膜與布線線路和樹脂具有不同的線膨脹系數，因此，無機絕緣膜中會出現裂縫。為了解決這個問題，本發明的實施例旨在提供一種能夠減少或防止無機絕緣膜中的裂縫形成的半導體器件，以及制造該半導體器件的方法。

根據本發明的一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：半導體層，其形成在基板上；第一樹脂層，其形成在所述半導體層上；第二樹脂層，其形成在所述第一樹脂層上；第一布線層，其形成在所述半導體層上，并且被掩埋在所述第二樹脂層中；第二布線層，其形成在所述第二樹脂層和所述第一布線層上，并且與所述第一布線層電連接；以及第一無機絕緣膜，其覆蓋所述第二樹脂層和所述第二布線層，其中，所述第一布線層的面積大于所述第二布線層的面積。

根據本發明的另一方面，提供一種制造半導體器件的方法，該方法包括：使半導體層在基板上生長；通過對所述半導體層執行干法刻蝕來形成臺面(mesa)；在所述半導體層上形成第一樹脂層，所述第一樹脂層掩埋所述臺面；在所述臺面上方形成第一布線層；在所述第一樹脂層上形成第二樹脂層；在所述第二樹脂層上形成第二布線層，所述第二布線層與所述第一布線層電連接；以及形成第一無機絕緣膜，所述第一無機絕緣膜覆蓋所述第二樹脂層和所述第二布線層，其中，所述第一布線層的面積大于所述第二布線層的面積。

附圖說明

圖1是根據第一實施例的光調制器的光波導部分的平面圖；

圖2是根據第一實施例的光調制器的平面圖；

圖3A和圖3B是焊盤附近的部分的剖視圖，并且圖3C是焊盤的放大平面圖；

圖4A和圖4B是分支波導附近的部分的剖視圖；

圖5A至圖5C是仿真模型的實例的示意圖；

圖6A至圖6F是示出制造光調制器的示例性方法的剖視圖；

圖7A至圖7D是示出制造光調制器的示例性方法的剖視圖；

圖8A至圖8C是示出制造光調制器的示例性方法的剖視圖；以及

圖9A至圖9D是示出制造光調制器的示例性方法的剖視圖。

具體實施方式

本發明實施例的說明

首先，列出并描述本發明的實施例的內容。

本發明的實施例為：(1)一種半導體器件，包括：半導體層，其形成在基板上；第一樹脂層，其形成在半導體層上；第二樹脂層，其形成在第一樹脂層上；第一布線層，其形成在半導體層上，并且被掩埋在第二樹脂層中；第二布線層，其形成在第二樹脂層和第一布線層上，并且與第一布線層電連接；以及第一無機絕緣膜，其覆蓋第二樹脂層和第二布線層。在該半導體器件中，第一布線層的面積大于第二布線層的面積。由于第一布線層的面積大于第二布線層的面積，因此可以減小要施加于第一無機絕緣膜的應力。結果，可以減小或防止在第一無機絕緣膜中形成裂縫。