[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910919132.7
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110970411A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 渡邊昌崇;河野直哉;菊地健彥
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/485;G02F1/025
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體層，其形成在基板上；

第一樹脂層，其形成在所述半導(dǎo)體層上；

第二樹脂層，其形成在所述第一樹脂層上；

第一布線層，其形成在所述半導(dǎo)體層上，并且被掩埋在所述第二樹脂層中；

第二布線層，其形成在所述第二樹脂層和所述第一布線層上，并且與所述第一布線層電連接；以及

第一無機絕緣膜，其覆蓋所述第二樹脂層和所述第二布線層，

其中，所述第一布線層的面積大于所述第二布線層的面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一布線層的端部位于所述第二布線層的端部的外側(cè)，并且包圍所述第二布線層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一布線層的長度比所述第二布線層的長度大4μm以上且14μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一布線層和所述第二布線層包括金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一布線層的厚度為0.8μm以上且2.0μm以下，并且

所述第二布線層的厚度為2.5μm以上且5.0μm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一無機絕緣膜包括氮化硅、二氧化硅或氧氮化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二無機絕緣膜，其形成在所述半導(dǎo)體層與所述第一樹脂層之間；

第三無機絕緣膜，其形成在所述第一樹脂層與所述第二樹脂層之間；以及

第四無機絕緣膜，其形成在所述第二樹脂層與所述第一無機絕緣膜之間，

其中，所述第二布線層形成在所述第四無機絕緣膜上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第二樹脂層和所述第四無機絕緣膜在與所述第一布線層重疊的位置處均具有開口，并且

所述第二布線層形成在所述開口中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述半導(dǎo)體層為堆疊在所述基板上的多個復(fù)合半導(dǎo)體層，

所述半導(dǎo)體層包括由所述多個復(fù)合半導(dǎo)體層形成的臺面，

所述臺面的側(cè)表面被所述第一樹脂層掩埋，

所述臺面的面積大于所述第一布線層的面積，并且

所述第一布線層形成在所述臺面上方。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

使半導(dǎo)體層在基板上生長的步驟；

通過對所述半導(dǎo)體層執(zhí)行干法刻蝕來形成臺面的步驟；

在所述半導(dǎo)體層上形成第一樹脂層的步驟，所述第一樹脂層掩埋所述臺面；

在所述臺面上方形成第一布線層的步驟；

在所述第一樹脂層上形成第二樹脂層的步驟；

在所述第二樹脂層上形成第二布線層的步驟，所述第二布線層與所述第一布線層電連接；以及

形成第一無機絕緣膜的步驟，所述第一無機絕緣膜覆蓋所述第二樹脂層和所述第二布線層，

其中，所述第一布線層的面積大于所述第二布線層的面積。