[發明專利]一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法及系統

有效

• 申請號: 201910918703.5
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110518098B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 陳右儒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

本發明提供了一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法及系統，其中，所述方法包括：將制備在藍寶石基板上的微型發光二極管芯片與轉移基板粘接；將所述藍寶石基板剝離，并在所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片上進行磁極電鍍，在所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極；將所述轉移基板剝離，并將所述轉移基板剝離后的所述微型發光二極管芯片置于分散液中，形成包括分散的微型發光二極管芯片的溶液，其中，任一所述分散的微型發光二極管芯片包括有磁極；在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域；在磁場力的作用下，將所述分散的微型發光二極管芯片置于所述焊接區域內。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法及系統。

背景技術

微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode，即Micro LED)芯片是將傳統的LED結構進行微小化和矩陣化，以實現顯示。由于Micro LED芯片具有尺寸小、分辨率高、亮度高、發光效率高、功耗低等優點，已經作為顯示領域的研究重點。

其中，如何將大量的微型發光二極管芯片轉移到顯示基板上成為巨量轉移技術的重大挑戰。

發明內容

本發明實施例提供了一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法及系統，用于實現將大量的微型發光二極管轉移到顯示基板。

第一方面，本發明實施例提供了一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法，包括：

將制備在藍寶石基板上的微型發光二極管芯片與轉移基板粘接；

將所述藍寶石基板剝離，并在所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片上進行磁極電鍍，在所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極；

將所述轉移基板剝離，并將所述轉移基板剝離后的所述微型發光二極管芯片置于分散液中，形成包括分散的微型發光二極管芯片的溶液，其中，任一所述分散的微型發光二極管芯片包括有磁極；

在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域；

在磁場力的作用下，將所述分散的微型發光二極管芯片置于所述焊接區域內。

可選地，所述在所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片上進行磁極電鍍，在所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極，包括：

在所述藍寶石基板剝離后且位于所述轉移基板的第一襯底基板上的所述微型發光二極管芯片上進行光刻膠圖案化，形成圖案化的光刻膠；

在所述圖案化的光刻膠上沉積導電層，形成用于電鍍的電極；

將沉積所述導電層之后的所述微型發光二極管芯片置于電解液中，在所述微型發光二極管芯片的所述導電層對應位置上生長圖案化的磁極。

可選地，在將所述轉移基板剝離后的所述微型發光二極管芯片置于分散液之前，所述方法還包括：

去除所述圖案化的光刻膠；

在所述圖案化的磁極的表面旋涂另一光刻膠；

在將所述轉移基板剝離之后，去除所述另一光刻膠。

可選地，所述在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域，包括：

在所述顯示基板的第二襯底基板上，按照預設間隔設置用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的可圖案化的粘性膠所形成的焊接區域。

可選地，在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域之后，所述方法還包括：

在相鄰兩焊接區域之間形成圖案化的磁場屏蔽層；