[發明專利]一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法及系統

有效

• 申請號: 201910918703.5
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110518098B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 陳右儒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

1.一種微型發光二極管芯片的巨量轉移方法，其特征在于，包括：

將制備在藍寶石基板上的微型發光二極管芯片與轉移基板粘接；

將所述藍寶石基板剝離，并在所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片上進行磁極電鍍，在所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極；

將所述轉移基板剝離，并將所述轉移基板剝離后的所述微型發光二極管芯片置于分散液中，形成包括分散的微型發光二極管芯片的溶液，其中，任一所述分散的微型發光二極管芯片包括有磁極；

在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域；

在通過外置在所述顯示基板的SmCo永磁鐵提供相應的磁場力的作用下，將所述分散的微型發光二極管芯片置于所述焊接區域內。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片上進行磁極電鍍，在所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極，包括：

在所述藍寶石基板剝離后且位于所述轉移基板的第一襯底基板上的所述微型發光二極管芯片上進行光刻膠圖案化，形成圖案化的光刻膠；

在所述圖案化的光刻膠上沉積導電層，形成用于電鍍的電極；

將沉積所述導電層之后的所述微型發光二極管芯片置于電解液中，在所述微型發光二極管芯片的所述導電層對應位置上生長圖案化的磁極。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在將所述轉移基板剝離后的所述微型發光二極管芯片置于分散液之前，所述方法還包括：

去除所述圖案化的光刻膠；

在所述圖案化的磁極的表面旋涂另一光刻膠

在將所述轉移基板剝離之后，去除所述另一光刻膠。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域，包括：

在所述顯示基板的第二襯底基板上，按照預設間隔設置用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的可圖案化的粘性膠所形成的焊接區域。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，在顯示基板上形成用于容置所述分散的微型發光二極管芯片的焊接區域之后，所述方法還包括：

在相鄰兩焊接區域之間形成圖案化的磁場屏蔽層；

在所述磁場屏蔽層對應位置上形成表面能控制層。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在形成包括分散的微型發光二極管芯片的溶液之后，所述方法還包括：

在所述表面能控制層的疏水性，所述焊接區域的親水性，以及所述圖案化的磁場屏蔽層之間的磁場屏蔽的作用下，通過磁場力控制所述分散的微型發光二極管芯片向所述焊接區域移動。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在將所述分散的微型發光二極管芯片置于所述焊接區域內之后，所述方法還包括：

通過熱固化工藝使所述可圖案化的粘性膠固化，將所述分散的微型發光二極管芯片進行固定。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散液包括烷偶連劑、甲基丙烯酰氧基硅、甲醇中的一種或幾種。

9.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述電解液的PH值為3～4，電流密度為8mA/cm²、電鍍電流占空比為66.6％。

10.一種基于權利要求1-9任一項所述的微型發光二極管芯片的巨量轉移方法的巨量轉移系統，其特征在于，包括：

轉移基板，用于粘接制備在藍寶石基板上的微型發光二極管芯片，并在與所述藍寶石基板剝離后的所述微型發光二極管芯片對應位置上生長對應的磁極，并將與所述轉移基板剝離后的分散的微型發光二極管芯片轉移至顯示基板；

所述顯示基板，用于在磁場力的作用下，對所述分散的微型發光二極管芯片進行拾取。

11.如權利要求10所述的巨量轉移系統，其特征在于，所述轉移基板包括設置在所述微型發光二極管芯片上的圖案化的光刻膠。