[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201910913729.0
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110943052B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 陳瑰瑋;鄭家明;林佳升
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，包括：

基底，具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面，且具有第一開口及環繞該第一開口的第二開口，該第一開口與該第二開口隔開距離，且其中該基底包括感測裝置，位于該基底內且鄰近于該基底的該第一表面；

第一導電結構，包括：

第一導電部，位于該基底的該第一開口內；以及

第二導電部，位于該基底的該第二表面上方；

電性隔離結構，包括：

第一隔離部，位于該基底的該第二開口內，使該第一隔離部環繞該第一導電部；以及

第二隔離部，自該第一隔離部延伸于該基底的該第二表面與該第二導電部之間；以及

導電墊，與該第一導電部電性連接，

其中，該第二開口延伸至該導電墊且該導電墊的一部分自該第二開口的邊緣橫向突出。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，還包括：

鈍化護層，覆蓋該第二導電部及該第二隔離部；以及

第二導電結構，穿過該鈍化護層而電性連接至該第二導電部。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，還包括：

蓋板，設置于該基底的該第一表面上方；以及

間隔層，設置于該基底與該蓋板之間，其中該鈍化護層沿該基底邊緣的側壁表面延伸于該間隔層內。

4.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其中，該第一導電部順應性覆蓋該基底的該第一開口的側壁及底部，且該鈍化護層延伸于該第一開口內，而在該第一開口內的該第一導電部與該鈍化護層之間形成空孔。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該第一隔離部局部填入于該基底的該第二開口內，而在該第二開口底部與該第一隔離部之間形成空孔。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該電性隔離結構包括氧化物或光致抗蝕劑材料。

7.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該第一導電部的一部分突出于該基底的該第二表面，使該第二隔離部局部位于該第二導電部與突出于該基底的該第二表面的該第一導電部的該部分之間。

8.根據權利要求7所述的晶片封裝體，其中，該第一導電部具有T型輪廓。

9.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該第二導電部自該第一導電部延伸，使該第二導電部與該第一導電部由同一導電材料層構成。

10.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該第二導電部連接至該第一導電部，且該第二導電部與該第一導電部由不同的導電材料層構成。

11.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其中，該距離小于或等于該第一開口的寬度。

12.根據權利要求1所述的晶片封裝體，還包括：

絕緣層，覆蓋該基底的該第一表面，其中該導電墊位于該絕緣層內，且該第一導電部延伸于該絕緣層內而電性連接該導電墊。

13.根據權利要求12所述的晶片封裝體，其中，該第二開口延伸于該絕緣層內而露出該導電墊。