[發(fā)明專利]熱場測量機(jī)構(gòu)及校正方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910913689.X | 申請日: | 2019-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN110592662A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈偉民;王剛;郭鴻震;趙旭良 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201306 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱場 晶體生長 測量 坩堝軸 晶體生長裝置 晶體生長狀態(tài) 距離傳感器 測量工裝 測量機(jī)構(gòu) 概率降低 光滑平整 晶體表面 徑向距離 扭曲變形 對中性 晶體的 良率 熱區(qū) 校正 對稱 保證 | ||
本發(fā)明提供一種熱場測量機(jī)構(gòu)及校正方法。在晶體生長裝置中的坩堝軸上設(shè)置測量平臺,距離傳感器通過測量工裝設(shè)置在測量平臺上,在實(shí)際晶體生長狀態(tài)的情況下,以坩堝軸為基準(zhǔn),測量熱場各部件不同方位的徑向距離,并根據(jù)測量結(jié)果對熱場進(jìn)行調(diào)整,增強(qiáng)熱場的對中性,以保證晶體生長的熱區(qū)對稱且穩(wěn)定,使得晶體生長的扭曲變形發(fā)生的概率降低,提高晶體表面的光滑平整性,進(jìn)而提高晶體的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種熱場的測量機(jī)構(gòu)及校正方法。
背景技術(shù)
提拉法,又稱直拉法、Cz法,是一種目前最流行的塊狀單晶體生長技術(shù),傳統(tǒng)的提拉法裝置由熱場系統(tǒng)(加熱、控溫和保溫)、氣氛控制系統(tǒng)(真空、氣路、充氣)、傳動系統(tǒng)(提拉、旋轉(zhuǎn))等構(gòu)成。該方法的優(yōu)勢在于可測試和觀察生長界面、定向籽晶、“縮頸”技術(shù)、“收尾”技術(shù)、可旋轉(zhuǎn)坩堝和晶體,因而控制方便,能獲得較快的生長速率和很高的產(chǎn)品性能均勻性,成品率遠(yuǎn)大于其它晶體生長方式。
在提拉法生長晶體的過程中,晶體生長的成功與否以及質(zhì)量的高低會由晶體生長裝置中熱場的溫度分布等決定。例如,溫度分布合適的熱場,不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高;如果熱場的溫度分布不是很合理,生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量,情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。單晶生長爐中熱場通常是由以石墨及石墨氈材料制作的部件組成,部件組裝后的熱場須保證熱場的中心和坩堝系統(tǒng)的中心保持一致,以保證晶體生長的熱區(qū)對稱且穩(wěn)定。但是由于組裝的公差精度,會形成熱場的中心偏心,進(jìn)而會影響熱場的溫度分布。因此,如何更好的測量和校正晶體生長裝置中的熱場是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種晶體生長裝置熱場的測量機(jī)構(gòu)及校正方法,實(shí)現(xiàn)對晶體生長裝置熱場的測量,并根據(jù)測量結(jié)果校正熱場配置,以保證晶體生長的熱區(qū)對稱且穩(wěn)定,提高晶體的良率。
本發(fā)明提供一種熱場測量機(jī)構(gòu),用于測量晶體生長裝置中熱場的對中性,其特征在于,包括:設(shè)置在晶體生長裝置中坩堝軸上的測量平臺、設(shè)置在所述測量平臺上的測量工裝及設(shè)置在所述測量工裝上的距離傳感器,所述測量工裝設(shè)置在所述測量平臺的任一位置,并提供所述距離傳感器一測量高度。
可選的,所述測量平臺為一圓形平臺。
可選的,所述坩堝軸位于所述測量平臺的中心。
可選的,所述測量平臺上設(shè)置有固定所述測量工裝的固定位。
可選的,所述測量工裝固定在距離所述測量平臺的中心的一定距離的位置。
可選的,所述距離傳感器為激光測距儀。
可選的,所述測量工裝采用特氟龍材料制成。
可選的,所述測量平臺與所述坩堝軸銜接部分采用石墨材料制成。
本發(fā)明提供一種晶體生長裝置熱場的校正方法,包括:
卸下晶體生長裝置中與坩堝軸連接的坩堝;
在坩堝軸上安裝上述的晶體生長裝置熱場的測量機(jī)構(gòu);
對晶體生長裝置進(jìn)行抽真空,并使晶體生長裝置中的熱場處于實(shí)際晶體生長的狀態(tài);
以坩堝系統(tǒng)中心為基準(zhǔn),測量熱場各部件不同方位的徑向距離;
以及,
根據(jù)測量結(jié)果對熱場進(jìn)行調(diào)整。
可選的,以坩堝軸為基準(zhǔn),測量熱場各部件不同方位的徑向距離,包括:
升降坩堝軸,使所述熱場測量機(jī)構(gòu)的距離傳感器到達(dá)指定熱場部件的位置;
調(diào)節(jié)坩堝軸的旋轉(zhuǎn)角度,測量熱場各部件與所述距離傳感器之間的距離;
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