[發明專利]熱場測量機構及校正方法在審
| 申請號： | 201910913689.X | 申請日： | 2019-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN110592662A | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發明（設計）人： | 沈偉民;王剛;郭鴻震;趙旭良 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201306 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱場 晶體生長 測量 坩堝軸 晶體生長裝置 晶體生長狀態 距離傳感器 測量工裝 測量機構 概率降低 光滑平整 晶體表面 徑向距離 扭曲變形 對中性 晶體的 良率 熱區 校正 對稱 保證 | ||
1.一種熱場測量機構，用于測量晶體生長裝置中熱場的對中性，其特征在于，包括：設置在晶體生長裝置中坩堝軸上的測量平臺、設置在所述測量平臺上的測量工裝及設置在所述測量工裝上的距離傳感器，所述測量工裝設置在所述測量平臺的任一位置，并提供所述距離傳感器一測量高度。
2.根據權利要求1所述的熱場測量機構，其特征在于，所述測量平臺為一圓形平臺。
3.根據權利要求2所述的熱場測量機構，其特征在于，所述坩堝軸位于所述測量平臺的中心。
4.根據權利要求1所述的熱場測量機構，其特征在于，所述測量平臺上設置有固定所述測量工裝的固定位。
5.根據權利要求2所述的熱場測量機構，其特征在于，所述測量工裝固定在距離測量平臺中心一定距離的位置上。
6.根據權利要求1所述的熱場測量機構，其特征在于，所述距離傳感器為激光測距儀。
7.根據權利要求1所述的熱場測量機構，其特征在于，所述測量工裝采用特氟龍材料制成。
8.根據權利要求1所述的熱場測量機構，其特征在于，所述測量平臺與所述坩堝軸銜接部分采用石墨材料制成。
9.一種熱場校正方法，用于校正晶體生長裝置中的熱場，其特征在于，包括：
卸下晶體生長裝置中與坩堝軸連接的坩堝；
在坩堝軸上安裝如權利要求1-8中任一項所述的熱場測量機構；
對晶體生長裝置進行抽真空，并使晶體生長裝置中的熱場處于實際晶體生長的狀態；
以坩堝軸為基準，測量熱場各部件不同方位的徑向距離；以及，
根據測量結果對熱場進行調整。
10.根據權利要求9所述的熱場校正方法，其特征在于，以坩堝系統中心為基準，測量熱場各部件不同方位的徑向距離，包括：
升降坩堝軸，使所述熱場測量機構的距離傳感器到達指定熱場部件的位置；
調節坩堝軸的旋轉角度，測量熱場各部件與所述距離傳感器之間的距離；
根據測量結果，計算熱場中心的偏離量。
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