[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910913688.5
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110649027B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高超
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底上依次形成第一介質(zhì)層、浮柵層、第二介質(zhì)層和控制柵層；依次刻蝕控制柵層、第二介質(zhì)層、浮柵層和第一介質(zhì)層露出所述襯底表面形成多個方陣和多個引出結(jié)構(gòu)，每個所述方陣上不相鄰的兩邊上各有多個所述引出結(jié)構(gòu)；在所述方陣上形成多列柵極結(jié)構(gòu)柵極結(jié)構(gòu)組成存儲單元，所述柵極結(jié)構(gòu)具有兩端，所述每一列柵極結(jié)構(gòu)的其中一端具有一個引出結(jié)構(gòu)，相鄰列柵極結(jié)構(gòu)的所述引出結(jié)構(gòu)位于不同端。形成存儲單元后引出結(jié)構(gòu)位于相鄰列的不同端，增加了相鄰的引出結(jié)構(gòu)的距離，因此，在刻蝕時，減少了對光刻機的精度的要求，可以使用較低精度的光刻機完成，從而減少了成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。

背景技術(shù)

柵極結(jié)構(gòu)可以作為存儲單元，多個存儲單元可以組成一個存儲單元，存儲單元分為多行多列柵極結(jié)構(gòu)，將位于同一個列上的存儲單元的控制柵通過引出結(jié)構(gòu)連接在一條線上，可以通過這條線控制這一列的存儲單元。現(xiàn)有技術(shù)中，在形成柵極結(jié)構(gòu)之前，刻蝕形成多個引出結(jié)構(gòu)，之后刻蝕形成柵極結(jié)構(gòu)，多個柵極結(jié)構(gòu)組成存儲單元，存儲單元分為多列柵極結(jié)構(gòu)，每一列上具有一個引出結(jié)構(gòu)，多個引出結(jié)構(gòu)位于每一列的同一端。現(xiàn)有技術(shù)形成引出結(jié)構(gòu)的方法為，在控制柵層形成之后通過光刻膠遮擋使用光刻機將控制柵層刻蝕分開，形成多個獨立的引出結(jié)構(gòu)。然而由于現(xiàn)在半導(dǎo)體器件的尺寸逐漸減小，相鄰的引出結(jié)構(gòu)之間的距離也越來越小，因此，需要使用高精度的光刻機刻蝕，需要較高的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，可以使用較低精度的光刻機刻蝕形成引出結(jié)構(gòu)，節(jié)省成本。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成第一介質(zhì)層、浮柵層、第二介質(zhì)層和控制柵層；

依次刻蝕控制柵層、第二介質(zhì)層、浮柵層和第一介質(zhì)層露出所述襯底表面形成多個方陣和多個引出結(jié)構(gòu)，每個所述方陣上不相鄰的兩邊上各有多個所述引出結(jié)構(gòu)；

在所述方陣上形成多列柵極結(jié)構(gòu)組成存儲單元，所述柵極結(jié)構(gòu)具有兩端，每一列所述柵極結(jié)構(gòu)的其中一端具有一個引出結(jié)構(gòu)，相鄰列柵極結(jié)構(gòu)的所述引出結(jié)構(gòu)位于不同端。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述方陣的數(shù)量為兩個，分別是第一方陣和第二方陣，所述第一方陣和所述第二方陣之間具有一定的距離。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述引出結(jié)構(gòu)為方形的形狀。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述第一方陣和所述第二方陣分別具有多條邊，多個所述所述引出結(jié)構(gòu)分布在所述第一方陣和所述第二方陣相對的兩邊。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述引出結(jié)構(gòu)為8個，分別為第一引出結(jié)構(gòu)、第二引出結(jié)構(gòu)、第三引出結(jié)構(gòu)、第四引出結(jié)構(gòu)、第五引出結(jié)構(gòu)、第六引出結(jié)構(gòu)、第七引出結(jié)構(gòu)和第八引出結(jié)構(gòu)，所述第一引出結(jié)構(gòu)和所述第二引出結(jié)構(gòu)位于所述第一方陣的第一邊，所述第三引出結(jié)構(gòu)和第四引出結(jié)構(gòu)位于所述第一方陣的第二邊，所述第一邊和所述第二邊相對；所述第五引出結(jié)構(gòu)和所述第六引出結(jié)構(gòu)位于所述第二方陣的第三邊，所述第七引出結(jié)構(gòu)和所述第八引出結(jié)構(gòu)位于所述第二方陣的第四邊，所述第三邊和所述第四邊相對，所述第二邊和所述第三邊相對。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述第二邊的引出結(jié)構(gòu)和所述第三邊的引出結(jié)構(gòu)呈交叉設(shè)置。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的形成方法中，所述相鄰的引出結(jié)構(gòu)之間的距離大于或等于0.36微米。