[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201910913688.5
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110649027B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 高超
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成第一介質層、浮柵層、第二介質層和控制柵層；

依次刻蝕控制柵層、第二介質層、浮柵層和第一介質層露出所述襯底表面形成多個方陣和多個引出結構，每個所述方陣上不相鄰的兩邊上各有多個所述引出結構；

在所述方陣上形成多列柵極結構組成存儲單元，所述柵極結構具有兩端，每一列所述柵極結構的其中一端具有一個引出結構，相鄰列柵極結構的所述引出結構位于不同端；

所述方陣的數量為兩個，分別是第一方陣和第二方陣，所述第一方陣和所述第二方陣之間具有一定的距離；

所述第一方陣和所述第二方陣分別具有多條邊，多個所述引出結構分布在所述第一方陣和所述第二方陣相對的兩邊；

所述引出結構為8個，分別為第一引出結構、第二引出結構、第三引出結構、第四引出結構、第五引出結構、第六引出結構、第七引出結構和第八引出結構，所述第一引出結構和所述第二引出結構位于所述第一方陣的第一邊，所述第三引出結構和第四引出結構位于所述第一方陣的第二邊，所述第一邊和所述第二邊相對；所述第五引出結構和所述第六引出結構位于所述第二方陣的第三邊，所述第七引出結構和所述第八引出結構位于所述第二方陣的第四邊，所述第三邊和所述第四邊相對，所述第二邊和所述第三邊相對。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述引出結構為方形的形狀。

3.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二邊的引出結構和所述第三邊的引出結構呈交叉設置。

4.如權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述相鄰的引出結構之間的距離大于或等于0.36微米。

5.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述存儲單元包括第一列柵極結構和第二列柵極結構，所述第一列柵極結構和所述第二列柵極結構相鄰，所述第一列柵極結構和所述第二列柵極結構均具有第一端和第二端，所述第一引出結構位于所述第一列柵極結構的第一端，所述第三引出結構位于所述第二列柵極結構的第二端。

6.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，刻蝕形成柵極結構的方法包括：依次刻蝕控制柵層、第二介質層、浮柵層和第一介質層露出所述襯底表面形成柵極結構的控制柵、第二介質、浮柵和第一介質，再形成所述控制柵和所述浮柵之間的字線以及所述字線與所述控制柵和所述浮柵之間的第三介質。

7.如權利要求6所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述引出結構連接所述控制柵。