[發明專利]制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201910909872.2
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN111106117A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 崔恩榮;金亨俊;池正根
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/788
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發明提供一種制造半導體器件的方法，該方法被如下提供。形成孔以穿過初始第一模層和初始第二模層以分別形成在垂直于下部結構的垂直方向上交替地堆疊在下部結構上的第一模層和第二模層。沿著孔的側表面部分地蝕刻第一模層，以形成凹陷區域和凹陷的第一模層。在凹陷區域中形成第三模層以形成層間絕緣層，使得每個層間絕緣層包括在垂直方向上位于相同水平的對應的第三模層和對應的凹陷的第一模層。在孔中形成第一電介質層以覆蓋彼此堆疊的第三模層和第二模層。在第一電介質層上形成信息存儲圖案。

技術領域

本發明構思涉及制造半導體器件的方法。

背景技術

為了產品的價格競爭力，對提高半導體器件的集成度的需求正在增長。通過在垂直于半導體基板的上表面的方向上堆疊柵極，可以獲得更高的半導體器件集成度。隨著堆疊的柵極的數量增加，與堆疊的柵極對應的信息存儲區域之間的干擾會增加。

發明內容

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種制造半導體器件的方法被如下提供。形成孔以穿過初始第一模層和初始第二模層以分別形成在垂直于下部結構的垂直方向上交替堆疊在下部結構上的第一模層和第二模層。沿著孔的側表面部分地蝕刻第一模層以形成凹陷區域和凹陷的第一模層。在凹陷區域中形成第三模層以形成層間絕緣層，使得每個層間絕緣層包括在垂直方向上位于相同水平的對應的第三模層和對應的凹陷的第一模層。在孔中形成第一電介質層以覆蓋彼此堆疊的第三模層和第二模層。在第一電介質層上形成信息存儲圖案。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種制造半導體器件的方法被如下提供。形成包括初始第一模層和初始第二模層的堆疊結構，該初始第一模層和初始第二模層在垂直于下部結構的垂直方向上交替且重復地堆疊在下部結構上。形成孔以穿過堆疊結構從而形成第一模層和第二模層。該孔暴露第一模層的側表面和第二模層的側表面。通過孔暴露的第一模層被部分地蝕刻以形成凹陷區域和凹陷的第一模層。在凹陷區域中形成第三模層以形成層間絕緣層。每個層間絕緣層包括在垂直方向上位于相同水平的對應的凹陷的第一模層和對應的第三模層。每個第三模層插設在兩個相鄰的第二模層之間，并突出超過所述兩個相鄰的第二模層的側表面到所述孔中。沿著第三模層的側表面和第二模層的側表面在孔中形成第一電介質層。在第一電介質層上形成信息存儲圖案。信息存儲圖案與第二模層相對并在垂直方向上彼此間隔開。在孔中形成第二電介質層以覆蓋第一電介質層和信息存儲圖案，使得信息存儲圖案插設在第一電介質層和第二電介質層之間。在孔中形成溝道半導體層以覆蓋第二電介質層。每個信息存儲圖案具有在垂直方向上與第三模層重疊的部分和在垂直方向上不與第三模層重疊的部分。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種制造半導體器件的方法被如下提供。通過在基板上交替地堆疊層間絕緣層和模層來形成堆疊結構。具有波紋狀內側表面的孔穿過堆疊結構。每個層間絕緣層具有圓化的拐角作為孔的波紋狀內側表面的部分。在孔的波紋狀內側表面上形成包括信息存儲圖案的垂直存儲結構，使得信息存儲圖案在垂直于基板的垂直方向上彼此間隔開。每個層間絕緣層包括具有第一密度的內模層和具有比第一密度大的第二密度的外模層。

附圖說明

從以下結合附圖的詳細描述，本公開的以上和其它的方面、特征和優點將被更清楚地理解，附圖中：

圖1是根據示例實施方式的半導體器件的示意性框圖；

圖2是概念地示出根據示例實施方式的半導體器件的存儲陣列的電路圖；

圖3是根據示例實施方式的半導體器件的平面圖；

圖4A和圖4B是示出根據示例實施方式的半導體器件的剖視圖；

圖5A和圖5B是根據示例實施方式的半導體器件的局部放大剖視圖；

圖6A至圖6C是示出根據示例實施方式的半導體器件的剖視圖；以及

圖7A至圖14B是示出根據示例實施方式的制造半導體器件的方法的平面圖和剖視圖。