[發明專利]制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201910909872.2
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN111106117A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 崔恩榮;金亨俊;池正根
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/788
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

形成穿過多個初始第一模層和多個初始第二模層的孔以分別形成在垂直于下部結構的垂直方向上交替堆疊在所述下部結構上的多個第一模層和多個第二模層；

沿著所述孔的側表面部分地蝕刻所述多個第一模層，以形成多個凹陷區域和多個凹陷的第一模層；

在所述多個凹陷區域中形成多個第三模層以形成多個層間絕緣層，使得所述多個層間絕緣層中的每個包括所述多個第三模層中的對應的第三模層和所述多個凹陷的第一模層中的對應的凹陷的第一模層，該對應的第三模層和該對應的凹陷的第一模層在所述垂直方向上位于相同的水平；以及

在所述孔中形成第一電介質層，所述第一電介質層覆蓋彼此堆疊的所述多個第三模層和所述多個第二模層；以及

在所述第一電介質層上形成多個信息存儲圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中所述多個第三模層中的每個填充所述多個凹陷區域中的對應的凹陷區域，所述對應的凹陷區域設置在所述多個第二模層中的兩個相鄰的第二模層之間，并且所述多個第三模層中的每個延伸超過所述兩個相鄰的第二模層的側表面到所述孔中。

3.根據權利要求2所述的方法，

其中所述多個第三模層中的每個在所述孔中具有圓化的拐角。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第一電介質層共形地形成在所述多個第三模層的側表面和所述多個第二模層的側表面上；以及

所述多個信息存儲圖案在所述垂直方向上彼此間隔開，并且所述多個信息存儲圖案中的每個在所述垂直方向上與所述多個第二模層中的對應的第二模層位于相同的水平。

5.根據權利要求1所述的方法，

其中形成所述多個第三模層包括：

在所述多個凹陷區域中形成多個犧牲圖案；以及

氧化所述多個犧牲圖案以形成所述多個第三模層，其中所述多個第三模層中的每個與所述多個凹陷的第一模層中的對應的凹陷的第一模層接觸。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中形成所述多個第三模層包括：

沿著所述孔的內側表面形成犧牲層以填充所述多個凹陷區域；

蝕刻所述犧牲層以暴露所述多個第二模層的側表面，從而形成保留在所述多個凹陷區域中的多個犧牲圖案；以及

氧化所述多個犧牲圖案以形成所述多個第三模層。

7.根據權利要求6所述的方法，

其中所述犧牲層由半導體材料形成。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中所述多個第三模層中的每個的由所述孔暴露的側表面具有圓化的形狀。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述孔中依次形成在所述第一電介質層上的所述多個信息存儲圖案、覆蓋所述第一電介質層和所述多個信息存儲圖案的第二電介質層以及在所述第二電介質層上的溝道半導體層，使得所述第二電介質層插設在所述第一電介質層與所述半導體溝道層之間以及在所述多個信息存儲圖案與所述半導體溝道層之間。

10.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成穿過所述多個層間絕緣層和所述多個第二模層的分隔溝槽；

去除由所述分隔溝槽暴露的所述多個第二模層以形成多個空隙空間；

在所述多個空隙空間中形成多個柵極圖案；以及

在所述分隔溝槽中形成分隔結構。