[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 201910909737.8
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN111001539A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 筱崎賢哉
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05C9/06
• 分類號: B05C9/06;B05C9/08;B05C11/10;B05C13/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供基片處理裝置和基片處理方法。實施方式的基片處理裝置包括保持部、輸送部、調節部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多個吸附墊，用于保持基片。輸送部沿輸送方向輸送保持部。調節部調節保持部的傾斜度。涂敷部對基片涂敷處理液。控制部用調節部控制涂敷部的正下方的保持部的傾斜度。本發明能夠均勻地形成涂敷膜。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置和基片處理方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一邊利用氣體的壓力使基片上浮進行輸送，一邊在基片形成涂敷膜的技術。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第5570464號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種均勻地形成的涂敷膜的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的基片處理裝置包括保持部、輸送部、調節部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多個吸附墊，用于保持基片。輸送部沿輸送方向輸送保持部。調節部調節保持部的傾斜度。涂敷部對基片涂敷處理液。控制部用調節部控制涂敷部的正下方的保持部的傾斜度。

發明效果

依照本發明，能夠均勻地形成的涂敷膜。

附圖說明

圖1是實施方式的基片處理裝置的一部分的概略俯視圖。

圖2是表示實施方式的基片處理裝置的輸送部的概略側視圖。

圖3是圖1的III-III截面的概略圖。

圖4是表示實施方式的控制裝置的構成的框圖。

圖5是說明實施方式的高度調節處理的流程圖。

圖6是說明實施方式的第二涂敷部中的基片處理的流程圖。

圖7是表示實施方式和比較例的第二涂敷部的正下方的基片的高度的一例的圖。

圖8是表示變形例的基片處理裝置的一部分的俯視圖。

附圖標記說明

1 基片處理裝置

2 涂敷部

2A 第一涂敷部(規定涂敷部)

2B 第二涂敷部(另一涂敷部)

4 保持部

5 輸送部

6 調節部

7 墊高度調節部

8 檢測傳感器

9 控制裝置

41 吸附墊

61 升降致動器

92 控制部

93 存儲部。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明公開的基片處理裝置和基片處理方法的實施方式進行詳細說明。此外，不限于由以下所示的實施方式公開的基片處理裝置和基片處理方法。

在以下參照的各附圖中，為了使說明容易理解，給出規定彼此正交的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向且以Z軸正方向為鉛垂向上的直角坐標系。