[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 201910909737.8
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN111001539A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 筱崎賢哉
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05C9/06
• 分類號: B05C9/06;B05C9/08;B05C11/10;B05C13/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

保持部，其具有吸附基片的下表面的多個吸附墊，用于保持所述基片；

沿輸送方向輸送所述保持部的輸送部；

調節所述保持部的傾斜度的調節部；

對所述基片涂敷處理液的涂敷部；和

控制部，其用所述調節部控制所述涂敷部的正下方的所述保持部的傾斜度。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括多個墊高度調節部，其分別能夠調節所述多個吸附墊的高度，以使得規定涂敷部的正下方的所述基片的高度在規定范圍內，

在由所述多個墊高度調節部調節了所述多個吸附墊的高度的狀態下，所述控制部用所述調節部控制與所述規定涂敷部不同的另一涂敷部的正下方的所述保持部的傾斜度。

3.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述控制部用所述調節部控制所述規定涂敷部的正下方的所述保持部的傾斜度。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

包括檢測所述涂敷部的正下方的所述基片的高度的檢測傳感器，

所述控制部基于由所述檢測傳感器檢測出的、存儲于存儲部的所述基片的高度，用所述調節部控制所述保持部的傾斜度。

5.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

包括檢測所述涂敷部的正下方的所述基片的高度的檢測傳感器，

所述控制部用所述檢測傳感器檢測所述基片的高度，并且基于檢測出的所述基片的高度用所述調節部控制所述保持部的傾斜度。

6.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

由保持部保持所述基片的步驟，其中所述保持部具有吸附基片的下表面的多個吸附墊；

沿輸送方向輸送所述保持部的步驟；

由涂敷部對所述基片涂敷處理液的步驟；和

調節所述涂敷部的正下方的所述保持部的傾斜度的步驟。