[發(fā)明專利]一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910908744.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110483091B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉楓;金義程;葉健;張標(biāo);劉強(qiáng);高曄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B37/00 | 分類號(hào): | C04B37/00;C04B38/00;C04B35/584 |
| 代理公司: | 北京君恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11466 | 代理人: | 余威 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多孔 氮化 陶瓷 連接 方法 | ||
本發(fā)明涉及氮化硅陶瓷燒結(jié)領(lǐng)域,更具體的說是一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,包括多孔氮化硅基體Ⅰ、連接層和多孔氮化硅基體Ⅱ,所述連接層通過燒結(jié)將多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ相互連接,連接層生長(zhǎng)依附于兩側(cè)的多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ,生長(zhǎng)后的連接層相互穿插橋接兩側(cè)的多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ;可以實(shí)現(xiàn)多孔氮化硅陶瓷間的燒結(jié)連接,連接層的氮化硅晶粒依附于兩側(cè)待連接的多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ生長(zhǎng),而非基于連接層單獨(dú)生長(zhǎng),因此連接層在燒結(jié)過程中未產(chǎn)生明顯的收縮,有效解決了連接層因燒結(jié)收縮過大而開裂的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及氮化硅陶瓷燒結(jié)領(lǐng)域,更具體的說是一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法。
背景技術(shù)
氮化硅陶瓷具有高強(qiáng)度、高韌性、低熱膨脹系數(shù)及良好的高溫穩(wěn)定性,在超高速飛行器天線罩領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。航天飛行器天線罩的主要功能是承載、隔熱、導(dǎo)流和透波等。致密氮化硅陶瓷的介電常數(shù)偏高7~8.5,不能滿足天線罩透波的需求,因此需要將氮化硅陶瓷多孔化以降低其介電常數(shù)。單一氣孔率的氮化硅陶瓷很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)承載和隔熱的功能,較為可行的方法是制備高/低氣孔連接的多孔氮化硅陶瓷,其低氣孔層負(fù)責(zé)承載而高氣孔層負(fù)責(zé)隔熱。制備梯度孔結(jié)構(gòu)還可提高陶瓷材料的抗熱震性能,進(jìn)一步提高天線罩的可靠性。此外,將不同氣孔率的氮化硅陶瓷按一定方式連接,還可實(shí)現(xiàn)天線罩的寬頻透波。
由于兩側(cè)基體氣孔率的差異,連接層會(huì)存在較大的內(nèi)應(yīng)力,易使陶瓷的連接處開裂。連接層的陶瓷直接燒結(jié)也會(huì)發(fā)生較大的收縮,進(jìn)一步增大連接界面的內(nèi)應(yīng)力,較大的應(yīng)力甚至?xí)苯悠茐母邭饪椎牡杌w。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,可以解決連接層因燒結(jié)收縮過大而開裂的問題。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,包括多孔氮化硅基體Ⅰ、連接層和多孔氮化硅基體Ⅱ,所述連接層通過燒結(jié)將多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ相互連接,連接層生長(zhǎng)依附于兩側(cè)的多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ,生長(zhǎng)后的連接層相互穿插橋接兩側(cè)的多孔氮化硅基體Ⅰ和多孔氮化硅基體Ⅱ。
作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,所述連接層由A-B-A三層原料疊壓組成,其中兩側(cè)的連接層A層由陶瓷粉體A制成,陶瓷粉體A由α-Si3N4和燒結(jié)助劑組成,其中位于中間的連接層B層由陶瓷粉體B制成,陶瓷粉體B由α-Si3N4組成。
作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,所述兩側(cè)A層內(nèi)燒結(jié)助劑和α-Si3N4的質(zhì)量比為1:9~19。
作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,所述燒結(jié)助劑由Y2O3和Al2O3粉體組成,Y2O3和Al2O3的質(zhì)量比為1:0.6~0.8。
作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)化,本發(fā)明一種多孔氮化硅陶瓷的連接方法,所述連接層的生坯是由流延成型制備,具體制備工藝包括如下步驟:
步驟一:將去離子水、陶瓷粉體A和分散劑球磨混合制備成混合漿料A;
步驟二:將去離子水、陶瓷粉體B和分散劑球磨混合制備成混合漿料B;
步驟三:混合漿料A和混合漿料B中分別加入粘結(jié)劑、增塑劑,繼續(xù)混合分別得到流延漿料A和流延漿料B;
步驟四:流延漿料A和流延漿料B在真空環(huán)境下除泡后,傾倒在離型膜上進(jìn)行流延成型,將流延后的漿料在室溫下進(jìn)行自然干燥,然后從離型膜上剝離,分別得到連接層A層的生坯和連接層B層的生坯。
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