[發(fā)明專利]敞開式焊盤結(jié)構(gòu)及包括敞開式焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910908620.8
• 申請(qǐng)日: 2019-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN110970310A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高永寬;李韓亐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;劉奕晴

本發(fā)明提供一種敞開式焊盤結(jié)構(gòu)及包括敞開式焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件，所述敞開式焊盤結(jié)構(gòu)包括：絕緣層；第一焊盤，設(shè)置在所述絕緣層上；第二焊盤，設(shè)置在所述絕緣層上并與所述第一焊盤間隔開；以及鈍化層，設(shè)置在所述絕緣層上，覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤，并具有用于使所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個(gè)的至少一部分敞開的開口。所述鈍化層覆蓋所述開口中的所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述絕緣層，并且t1和t2滿足t1>t2，其中，t1是所述鈍化層的除了所述開口之外的區(qū)域的厚度，t2是所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的區(qū)域的厚度。

本申請(qǐng)要求于2018年10月1日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2018-0116807號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種用于安裝電子組件的敞開式焊盤結(jié)構(gòu)以及一種半導(dǎo)體封裝件，例如，包括該敞開式焊盤結(jié)構(gòu)的扇出型半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

已經(jīng)使用了焊料掩模限定(SMD)方法和非焊料掩模限定(NSMD)方法作為形成阻焊劑開口(SRO)的方法。通常，SMD指的是用于形成小于金屬焊盤的SRO的結(jié)構(gòu)，NSMD指的是用于形成大于金屬焊盤的SRO的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一方面在于提供一種包括具有高可靠性的開口結(jié)構(gòu)的敞開式焊盤結(jié)構(gòu)，其中，熱固性材料可用作鈍化層的材料使得可改善可靠性、可解決熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配問(wèn)題、可簡(jiǎn)化工藝等，敞開式焊盤結(jié)構(gòu)可防止組件在安裝后被抬升并且可防止接合強(qiáng)度的劣化，可改善諸如在環(huán)氧樹脂模制工藝期間控制SR和組件之間的空隙形成的裝配可靠性，并且可防止在SRO工藝期間的過(guò)度加工缺陷、遺漏加工(miss-process)缺陷等，并且提供一種使用該敞開式焊盤結(jié)構(gòu)安裝電子組件的半導(dǎo)體封裝件。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，用于使第一焊盤和第二焊盤中的每個(gè)的至少一部分敞開的開口可形成在覆蓋絕緣層上的彼此間隔開的第一焊盤和第二焊盤的鈍化層上，并且可另外地加工開口中的在第一焊盤和第二焊盤之間的鈍化層，從而提供具有特殊形式的開口。

根據(jù)本公開的一方面，一種敞開式焊盤結(jié)構(gòu)包括：絕緣層；第一焊盤，設(shè)置在所述絕緣層上；第二焊盤，設(shè)置在所述絕緣層上并與所述第一焊盤間隔開；以及鈍化層，設(shè)置在所述絕緣層上，覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤，并具有用于使所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個(gè)的至少一部分敞開的開口。所述鈍化層覆蓋所述開口中的所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述絕緣層，并且t1和t2滿足t1>t2，其中，t1是所述鈍化層的除了所述開口之外的區(qū)域的厚度，t2是所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的區(qū)域的厚度。

根據(jù)本公開的一方面，一種半導(dǎo)體封裝件包括：半導(dǎo)體芯片，具有連接焊盤；包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的至少一部分；互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述包封劑上，并包括電連接到所述連接焊盤的重新分布層以及絕緣層；以及鈍化層，設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)上并覆蓋所述重新分布層的至少一部分。所述重新分布層包括彼此間隔開的第一焊盤和第二焊盤，所述鈍化層具有用于使所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個(gè)的至少一部分暴露的開口，所述鈍化層覆蓋所述開口中的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述絕緣層，并且t1和t2滿足t1>t2，其中，t1是所述鈍化層的除了所述開口之外的區(qū)域的厚度，t2是所述鈍化層的所述開口中在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的區(qū)域的厚度。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是示出電子裝置系統(tǒng)的示例的示意性框圖；

圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖；

圖3A和圖3B是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件在封裝工藝之前和封裝工藝之后的狀態(tài)的示意性截面圖；