[發(fā)明專利]敞開式焊盤結(jié)構(gòu)及包括敞開式焊盤結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910908620.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110970310A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高永寬;李韓亐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 敞開 盤結(jié) 包括 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種敞開式焊盤結(jié)構(gòu),包括:
絕緣層;
第一焊盤,設(shè)置在所述絕緣層上;
第二焊盤,設(shè)置在所述絕緣層上并與所述第一焊盤間隔開;以及
鈍化層,設(shè)置在所述絕緣層上,覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤,并具有用于使所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個(gè)的至少一部分敞開的開口,
其中,所述鈍化層覆蓋所述開口中的所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述絕緣層,并且
其中,t1和t2滿足t1>t2,其中,t1是所述鈍化層的除了所述開口之外的區(qū)域的厚度,t2是所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的區(qū)域的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,t2、t3和t4滿足t2≥t3且t2≥t4,其中,t3是所述第一焊盤的厚度,t4是所述第二焊盤的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,a、b和c滿足a≥c且b≥c,其中,a是所述開口到所述第一焊盤的暴露表面的深度,b是所述開口到所述第二焊盤的暴露表面的深度,c是所述開口到所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的暴露表面的深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述鈍化層包括熱固性樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述開口包括:第一開口,暴露所述第一焊盤的表面的至少一部分;第二開口,暴露所述第二焊盤的表面的至少一部分;以及第三開口,穿過所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的一部分并使所述鈍化層的在所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的表面暴露。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),所述敞開式焊盤結(jié)構(gòu)還包括:
電子組件,設(shè)置在所述鈍化層上,并具有分別連接到所述第一焊盤和所述第二焊盤的第一外電極和第二外電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述第一焊盤和所述第一外電極通過焊料彼此連接并且所述第二焊盤和所述第二外電極通過焊料彼此連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述鈍化層覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤中的每個(gè)的表面的邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述鈍化層的覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤的表面的邊緣的區(qū)域具有:第一區(qū)域,具有與所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述鈍化層的所述區(qū)域的厚度基本相同的厚度;以及第二區(qū)域,具有大于所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述鈍化層的所述區(qū)域的厚度的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述鈍化層的覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤的表面的邊緣的區(qū)域具有與所述第一焊盤和所述第二焊盤之間的所述區(qū)域的厚度基本相同的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述開口具有多個(gè)臺(tái)階部,所述多個(gè)臺(tái)階部設(shè)置為跨越所述第一焊盤和所述第二焊盤的暴露表面、所述鈍化層的覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤的邊緣的暴露表面以及所述鈍化層的除了所述開口之外的表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的敞開式焊盤結(jié)構(gòu),其中,所述鈍化層的具有所述厚度t1的所述區(qū)域直接設(shè)置在所述絕緣層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





