[發(fā)明專利]具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板及其制作方法

在審

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• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN112635509A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 許銘案;林佳慧;林文福
• 申請（專利權）人: 恒煦電子材料股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 11228
• 代理人: 周鶴

1.一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，包含：

一基板；

一電極層，具有數(shù)個電極，并形成于該基板上，以定義數(shù)個像素；

數(shù)個微發(fā)光二極管，個別粘著于該電極上；及

一黑矩陣防散色層，以黑色負型光阻形成于該數(shù)個微發(fā)光二極管之間的間隔處，該黑矩陣防散色層構成數(shù)個像素空間，以容置該數(shù)個像素。

2.如權利要求1所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層的厚度相等于該電極層與該微發(fā)光二極管所加起來的厚度。

3.如權利要求2所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層上方為粗糙化。

4.如權利要求1所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層的厚度相較于該電極層與該微發(fā)光二極管所加起來的厚度為薄，且該黑矩陣防散色層的厚度小于5um且大于1um。

5.如權利要求4所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層上方為粗糙化。

6.如權利要求1所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層所構成的該像素空間的寬度大于該微發(fā)光二極管的寬度至多20um。

7.如權利要求1所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，該黑矩陣防散色層所構成的該像素空間的寬度大于該微發(fā)光二極管的寬度至少10um，至多20um。

8.一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，包含：

于完成巨量轉移的一微發(fā)光二極管基板上形成一負型光阻層；

以一光罩對該負型光阻層進行曝光，曝光部位為該微發(fā)光二極管基板中數(shù)個微發(fā)光二極管之間的間隔處；

移除未被曝光的該負型光阻層，被曝光的該負型光阻層構成一黑矩陣結構；及

固化該黑矩陣結構。

9.如權利要求8所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，該負型光阻層的厚度相等于該微發(fā)光二極管的高度。

10.如權利要求8所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，該負型光阻層的厚度小于該微發(fā)光二極管的高度，該負型光阻層的厚度小于5um且大于1um。

11.如權利要求10所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，于曝光步驟后，還包含：

粗糙化該負型光阻層。

12.一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，包含：

于一基板上形成一負型光阻層；

以一光罩對該負型光阻層進行曝光，曝光部位為定義的數(shù)個微發(fā)光二極管之間的間隔處；

移除未被曝光的該負型光阻層，被曝光的該負型光阻層構成一黑矩陣結構，并構成數(shù)個像素空間，該像素空間的尺寸大于該微發(fā)光二極管的尺寸；

固化該黑矩陣結構；

于該數(shù)個像素空間中制作電極層；及

將微發(fā)光二極管巨量轉移至該數(shù)個像素空間中。

13.如權利要求12所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，該負型光阻層的厚度相等于該微發(fā)光二極管的高度。

14.如權利要求12所述的具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，其特征在于，該負型光阻層的厚度小于該微發(fā)光二極管的高度，且該負型光阻層的厚度小于5um且大于1um。