[發(fā)明專利]具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910904117.5
• 申請(qǐng)日: 2019-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112635509A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許銘案;林佳慧;林文福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恒煦電子材料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 周鶴

本發(fā)明公開(kāi)了一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板及其制作方法，其中該具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板包含：一基板；一電極層，具有數(shù)個(gè)電極，并形成于該基板上，以定義數(shù)個(gè)像素；數(shù)個(gè)微發(fā)光二極管，個(gè)別粘著于該電極上；及一黑矩陣防散色層，以黑色負(fù)型光阻形成于該數(shù)個(gè)微發(fā)光二極管之間的間隔處，該黑矩陣防散色層構(gòu)成數(shù)個(gè)像素空間，以容置該數(shù)個(gè)像素。據(jù)此達(dá)到提升像素清晰度與對(duì)比度的技術(shù)功效。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種微發(fā)光二極管技術(shù)，特別是關(guān)于一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

微發(fā)光二極管顯示器(Micro Light Emitting Diode Display,μLED)是一種將微發(fā)光二極管作為顯示器的光發(fā)射組件的新世代顯示器。此技術(shù)是將LED薄膜化、微小化、數(shù)組化至單一LED，尺寸僅在1～10μm等級(jí)，再將μLED批量式移轉(zhuǎn)至電路基板上，進(jìn)行表面粘著后，與電路基板上的電極與晶體管、上電極、保護(hù)層等等共同構(gòu)成微發(fā)光二極管顯示器所需的μLED面板。

μLED具有自發(fā)光、低功耗、響應(yīng)時(shí)間快、高亮度、超高對(duì)比度、廣色域、廣視角、超輕薄、使用壽命長(zhǎng)與適應(yīng)各種工作溫度的諸多優(yōu)異特性，μLED的技術(shù)規(guī)格相較于LCD與OLED具有壓倒性的優(yōu)勢(shì)。

然而，μLED于晶粒巨量移轉(zhuǎn)并貼合至含電極的基板之后，在個(gè)別晶粒發(fā)光過(guò)程中會(huì)有側(cè)向光與散色的問(wèn)題，這兩個(gè)狀況均可能會(huì)導(dǎo)致像素不清晰、對(duì)比度降低等問(wèn)題。如圖1A、1B所示，其分別為已知技術(shù)μLED于晶粒巨量移轉(zhuǎn)后的上視與沿A-A剖面線的剖面示意圖。可以發(fā)現(xiàn)，μLED晶粒30-n-1，于電極20-n-1的控制下(其余的電極20-n-2、20-n-3、20-n-4、20-n-5、20-n-6等上方皆有一個(gè)μLED晶粒)進(jìn)行發(fā)光，發(fā)出的光部分朝上方而構(gòu)成光90-1，部分則構(gòu)成側(cè)向漏光90-2而反射至旁邊的μLED晶粒30-n-2的位置，進(jìn)而形成對(duì)旁邊μLED晶粒30-n-2所產(chǎn)生的光源的干擾，進(jìn)而影響其表現(xiàn)。反之，μLED晶粒30-n-1也會(huì)受到其旁邊的μLED晶粒30-n-2的側(cè)向光與反射光的影響。這樣的側(cè)向光的問(wèn)題，會(huì)存在于所有μLED晶粒30-n-1、30-n-2、30-n-3、30-n-4、30-n-5、30-n-6上。

因此，如何適當(dāng)?shù)胤乐功蘈ED在發(fā)射光的時(shí)候，降低其側(cè)向光與散色光，借以提高μLED的清晰度與對(duì)比度，成為μLED技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要研發(fā)方向。

發(fā)明內(nèi)容

為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板及其制作方法，運(yùn)用曝光顯影制程來(lái)制作μLED之間的黑矩陣層，借以準(zhǔn)確地制作出能填于μLED之間空隙的黑矩陣層，進(jìn)而解決μLED的因漏光、反射而造成像素不清晰、對(duì)比度降低等技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到提升像素清晰度與對(duì)比度等特殊技術(shù)功效。

本發(fā)明的目的在于提供一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板，其包含：一基板；一電極層，具有數(shù)個(gè)電極，并形成于該基板上，以定義數(shù)個(gè)像素；數(shù)個(gè)微發(fā)光二極管，個(gè)別粘著于該電極上；及一黑矩陣防散色層，以黑色負(fù)型光阻形成于該些微發(fā)光二極管之間的間隔處，該黑矩陣防散色層構(gòu)成數(shù)個(gè)像素空間，以容置該數(shù)個(gè)像素。

本發(fā)明又提供一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，包含：于完成巨量轉(zhuǎn)移的一微發(fā)光二極管基板上形成一負(fù)型光阻層；以一光罩對(duì)該負(fù)型光阻層進(jìn)行曝光，曝光部位為該微發(fā)光二極管基板中數(shù)個(gè)微發(fā)光二極管之間的間隔處；移除未被曝光的該負(fù)型光阻層，被曝光的該負(fù)型光阻層構(gòu)成一黑矩陣結(jié)構(gòu)；固化該黑矩陣結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明又提供一種具黑矩陣防散色層的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，包含：于一基板上形成一負(fù)型光阻層；以一光罩對(duì)該負(fù)型光阻層進(jìn)行曝光，曝光部位為定義的數(shù)個(gè)微發(fā)光二極管之間的間隔處；移除未被曝光的該負(fù)型光阻層，被曝光的該負(fù)型光阻層構(gòu)成一黑矩陣結(jié)構(gòu)，并構(gòu)成數(shù)個(gè)像素空間，該像素空間的尺寸略大于該微發(fā)光二極管的尺寸；固化該黑矩陣結(jié)構(gòu)；于該些像素空間中制作電極層；及將微發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移至該些像素空間中。