[發明專利]堆疊存儲器及ASIC裝置在審
| 申請號: | 201910896376.8 | 申請日: | 2019-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN112185964A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 葉騰豪;胡志瑋;呂函庭 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/112 | 分類號: | H01L27/112;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堆疊 存儲器 asic 裝置 | ||
1.一種包括存儲器芯片的裝置,所述存儲器芯片具有存儲器芯片內連線表面,所述存儲器芯片內連線表面具有形成于一組存儲器芯片內連線位置中的各自位置的一組存儲器芯片接合墊,
其中所述存儲器芯片包括存儲器陣列、與所述存儲器陣列的數據攜帶節點通信的多個位線,以及與所述存儲器陣列的柵極控制節點通信的多個字線,
且其中每個所述位線及每個所述字線包括經由所述存儲器芯片的重布線導體連接至所述一組存儲器芯片接合墊中的每一個的各自著陸墊,用于所述位線的所述重布線導體具有正平均側向信號行進距離,其小于用于所述字線的所述重布線導體的正平均側向信號行進距離。
2.如權利要求1所述的包括存儲器芯片的裝置,其中所述存儲器陣列還包括與所述存儲器陣列的串選擇柵極控制節點通信的多個串選擇線,
其中每個所述串選擇線包括經由所述存儲器芯片的重布線導體連接至所述一組存儲器芯片接合墊中的各自串選擇柵極控制節點SSL者的各自串選擇線著陸墊,用于所述位線的所述重布線導體具有正平均側向信號行進距離,其小于用于所述串選擇線的所述重布線導體的所述正平均側向信號行進距離。
3.如權利要求1所述的包括存儲器芯片的裝置,其中所述多個位線中的所述位線均以位線方向定向且分組成在與所述位線方向正交的方向上彼此間隔開的位線區段,每個所述位線區段具有至少三個所述位線的各自子集且具有固定間距,且每個所述位線區段通過大于所述間距的各自位線間隙與其鄰接的各個位線區段間隔開,
其中所述存儲器芯片接合墊形成在所述位線方向上延伸的多個接合墊行,且所述存儲器芯片接合墊包括上覆于每個所述位線區段的所述接合墊行的各自子集,所述多個接合墊行中的所述接合墊還包括上覆于每個所述位線間隙的至少一個間隙行,
且其中所述位線區段中的每一給定者中的所有所述位線著陸墊連接至上覆于所述給定位線區段的所述接合墊行中的所述接合墊中的各自接合墊。
4.如權利要求1所述的包括存儲器芯片的裝置,其中連接至位線著陸墊及字線著陸墊的所述存儲器芯片接合墊集中配置于各自正交延伸至所述位線的列中,所述列包括第一組的鄰接列、第二組的鄰接列,以及安置于所述第一與所述第二組的鄰接列之間的中間組鄰接列,
其中連接至位線著陸墊的所有所述存儲器芯片接合墊包含在所述第一與所述第二組鄰接列中,
且其中連接至所述字線著陸墊的所述存儲器芯片接合墊中的至少一者包含在所述中間組鄰接列中。
5.如權利要求1所述的包括存儲器芯片的裝置,其中連接至位線著陸墊及字線著陸墊的所述存儲器芯片接合墊集中配置于平行延伸至所述位線的行中,所述接合墊行中的多個鄰接者中的每一所述行包括上覆于所述位線中的至少一者的接合墊,
其中用于所述多個位線中的所述位線中的每一給定者的所述著陸墊連接至上覆于所述給定位線或為在與所述位線正交的方向上最接近所述給定位線的行的接合墊行中的接合墊。
6.如權利要求1所述的包括存儲器芯片的裝置,其中所述多個位線中的所述位線均以位線方向定向且分組成在與所述位線方向正交的方向上彼此間隔開的位線區段,每個所述區段具有至少三個所述位線的各自子集且具有固定間距,且每個所述區段中通過大于所述間距的各自間隙與其每個鄰接區段間隔開,
其中用于一個所述區段中的位線的所述位線著陸墊劃分成第一組及第二組的所述位線著陸墊,所述第一組及所述第二組位線著陸墊在所述位線方向上通過所述字線彼此分離,
且其中連接至所述第一組位線著陸墊中的位線著陸墊的所述存儲器芯片接合墊形成位線接合墊的第一子柵格,所述位線接合墊的所述第一子柵格在所述位線方向上具有中心線,所述中心線與所述第一組位線著陸墊中的所述位線著陸墊在所述位線方向上的中心線對準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





