[發明專利]半導體裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201910894295.4
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN110970302A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 林資敬;林建智;朱峯慶;舒麗麗;李啟弘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/08
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一鰭片突出于一基板之上；

形成一柵極結構于該鰭片之上；

形成一凹槽于鄰近該柵極結構的該鰭片中；以及

形成一源極/漏極區域于該凹槽中，該源極/漏極區域包括一第一膜層、一第二膜層、及一第三膜層，其中形成該源極/漏極區域包括：

在第一工藝條件下進行一第一外延工藝以在該凹槽中形成該第一膜層，該第一膜層沿著該凹槽所露出的該鰭片的表面延伸；

在第二工藝條件下進行一第二外延工藝以在該第一膜層上形成該第二膜層；以及

在第三工藝條件下進行一第三外延工藝以在該第二膜層上形成該第三膜層，該第三膜層填充該凹槽，其中該些第一工藝條件、該些第二工藝條件、及該些第三工藝條件不同。