[發明專利]高純度錫

有效

• 申請號: 201910893030.2
• 申請日: 2017-03-02
• 公開（公告）號: CN110565115B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 伊森徹;竹本幸一
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C25C1/14
• 分類號: C25C1/14;C25C7/04;C25C7/06
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

本發明提供一種高純度錫，其純度為5N(99.999質量％)以上，且通過粒徑為0.5μm以上的微粒于1g中為50,000個以下的高純度錫而微粒得到抑制。

本申請是申請號為201780002499.1,申請日為2017年03月02日，發明名稱為“高純度錫及其制造方法”的中國專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種微粒較少的高純度錫(Sn)及制造其的方法。

背景技術

市售可獲取的高純度錫的制造方法一般為胺基磺酸錫、硫酸錫、氯化錫等的利用酸性電解浴的電解法。

例如，于日本特公昭62-1478號公報(專利文獻1)中記載有如下方法：以低α射線化為目的，以99.95重量％以上的錫作為陽極，以溶液組成為Sn：30～150g/L、幾乎不含有放射性同位素的胺基磺酸30～200g/L，且電解條件為陰極電流密度：0.5～2.0Amp/dm²、溶液溫度：15～50℃進行電解(專利文獻1的權利要求2)。

于日本專利第2754030號公報(專利文獻2)中記載有一種錫的制造方法，其特征在于：以低α射線化為目的，于含有至少符合JIS K 8951所規定的試劑一級硫酸的規格的硫酸90～240g/L、及至少符合JIS K 8180所規定的試劑一級鹽酸的規格的鹽酸10～50g/L的電解液中，將純度為99.97重量％以上的錫用于陽極而進行電解(專利文獻2的權利要求1)。

于日本專利第3882608號公報(專利文獻3)中記載有一種通過金屬錫中的雜質的電解精制進行的去除鉛的方法。具體而言，記載有一種高純度錫的電解精制方法，其特征在于：于使用由硫酸與氟硅酸的混合酸所構成的電解液的錫的電解精制中，將錫電解液自電解槽中抽出并導入至沉淀槽，于沉淀槽中向電解液添加碳酸鍶并于35℃以下的液溫下使液體中的鉛沉淀化，繼而，將包含該沉淀物的電解液導入至過濾器中而將沉淀物過濾分離，使去除沉淀物后的電解液返回至電解槽中而進行錫的電解精制(專利文獻3的權利要求1)。

于日本專利第5296269號公報(專利文獻4)中記載有如下方法：通過酸、例如硫酸使成為原料的錫滲出后，將該滲出液作為電解液，使雜質的吸附材料懸浮于該電解液中，使用原料Sn陽極進行電解精制；且記載有由此可獲得純度為5N以上(其中，O、C、N、H、S、P的氣體成分除外)的高純度錫。具體而言，記載有如下方法：使用3N級的錫作為陽極，于硫酸浴或鹽酸浴中，在電解溫度10～80℃、電流密度0.1～50A/dm²的條件下進行電解精制。記載有雜質的吸附系使氧化鈦、氧化鋁、氧化錫等氧化物、活性碳、碳懸浮于電解液中而進行。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特公昭62-1478號公報，

[專利文獻2]日本專利第2754030號公報，

[專利文獻3]日本專利第3882608號公報，

[專利文獻4]日本專利第5296269號公報。

發明內容

[發明所欲解決的課題]

根據背景技術中所揭示的制法，可獲得經高純度化的錫。然而，可知即便為如背景技術中所記載的高純度的錫，作為極微細配線用焊錫材料亦未發揮充分的特性；或者于在LSI等超微細加工裝置中使用本發明的高純度金屬作為熔液的情形時，微細的流路因熔液中存在的微粒而發生堵塞，對超微細加工步驟造成阻礙。

本發明是鑒于上述情況而創造的，其目的之一在于提供一種微粒得到抑制的高純度錫。又，本發明的另一目的在于提供一種制造微粒得到抑制的高純度錫的方法。

[解決課題的技術手段]