[發(fā)明專利]一種等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910880951.5
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN112530775A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳磊;梁潔;涂樂義
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 潘穎

本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置，位于所述等離子體處理裝置的反應(yīng)腔內(nèi)包括：相對設(shè)置的氣體噴淋頭和靜電吸盤；以及，環(huán)繞所述氣體噴淋頭設(shè)置的上接地環(huán)，所述上接地環(huán)沿環(huán)形方向分割為多個子接地區(qū)；其中，每一所述子接地區(qū)各自電連接一位于所述反應(yīng)腔外的阻抗可調(diào)裝置。由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，將上接地環(huán)沿環(huán)形方向分割為多個子接地區(qū)，且將每一子接地區(qū)各自電連接一阻抗可調(diào)裝置，通過對阻抗調(diào)節(jié)裝置的阻抗進行調(diào)節(jié)，以達到調(diào)節(jié)子接地區(qū)的接地阻抗的目的；進而，通過優(yōu)化不同子接地區(qū)的接地阻抗實現(xiàn)刻蝕工藝不對稱性的補償，最終使得等離子體處理裝置達到刻蝕均勻性高的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地說，涉及一種等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在半導體器件的制造過程中，為了在半導體晶片的結(jié)構(gòu)層上形成預先設(shè)定的圖案，大多采用等離子體處理裝置來進行制作；具體的，以抗蝕劑作為掩模設(shè)置于結(jié)構(gòu)層上，而后將其放入等離子體處理裝置中，利用等離子體處理裝置產(chǎn)生的等離子體對未被掩膜覆蓋的區(qū)域進行刻蝕，最終制作完成具有預設(shè)圖案的結(jié)構(gòu)層。現(xiàn)有的等離子體處理裝置，由于存在有元件結(jié)構(gòu)(如基片傳輸通道)不對稱等因素，進而能夠?qū)е驴涛g不均勻的情況出現(xiàn)，最終對產(chǎn)品性能和良率產(chǎn)生很大影響。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種等離子體處理裝置，有效解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，使得等離子體處理裝置達到刻蝕均勻性高的目的。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

一種等離子體處理裝置，位于所述等離子體處理裝置的反應(yīng)腔內(nèi)包括：

相對設(shè)置的氣體噴淋頭和靜電吸盤；

以及，環(huán)繞所述氣體噴淋頭設(shè)置的上接地環(huán)，所述上接地環(huán)沿環(huán)形方向分割為多個子接地區(qū)；

其中，每一所述子接地區(qū)各自電連接一位于所述反應(yīng)腔外的阻抗可調(diào)裝置。

可選的，所述阻抗可調(diào)裝置為可變電容調(diào)節(jié)裝置。

可選的，所述可變電容調(diào)節(jié)裝置包括固定極板和可動極板，其中，所述子接地區(qū)電連接所述固定極板。

可選的，所述固定極板與所述可動極板相對設(shè)置方向，與所述氣體噴淋頭和所述靜電吸盤相對設(shè)置方向垂直。

可選的，所述可變電容調(diào)節(jié)裝置包括與所述可動極板相連的傳動裝置；

其中，所述固定極板與所述可動極板之間間距固定，所述傳動裝置帶動所述可動極板在垂直所述固定極板和所述可動極板相對方向上移動。

可選的，所述等離子體處理裝置還包括固定于所述反應(yīng)腔外的防護罩，其中，所述固定極板與所述可動極板位于所述防護罩內(nèi)。

可選的，所述傳動裝置為馬達傳動裝置。

可選的，所述傳動裝置為氣動傳動裝置。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明提供了一種等離子體處理裝置，位于所述等離子體處理裝置的反應(yīng)腔內(nèi)包括：相對設(shè)置的氣體噴淋頭和靜電吸盤；以及，環(huán)繞所述氣體噴淋頭設(shè)置的上接地環(huán)，所述上接地環(huán)沿環(huán)形方向分割為多個子接地區(qū)；其中，每一所述子接地區(qū)各自電連接一位于所述反應(yīng)腔外的阻抗可調(diào)裝置。由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，將上接地環(huán)沿環(huán)形方向分割為多個子接地區(qū)，且將每一子接地區(qū)各自電連接一阻抗可調(diào)裝置，通過對阻抗調(diào)節(jié)裝置的阻抗進行調(diào)節(jié)，以達到調(diào)節(jié)子接地區(qū)的接地阻抗的目的；進而，通過優(yōu)化不同子接地區(qū)的接地阻抗實現(xiàn)刻蝕工藝不對稱性的補償，最終使得等離子體處理裝置達到刻蝕均勻性高的目的。

附圖說明