[發明專利]半導體設備

有效

• 申請號: 201910880480.8
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN110565161B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 王磊磊
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C30B25/14;C30B29/06;C23C16/44
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 王思超

本發明提供一種半導體設備，包括工藝腔室和尾氣處理裝置，半導體設備還包括排氣管道和吹掃裝置，排氣管道的兩端分別與工藝腔室和尾氣處理裝置連接；吹掃裝置與排氣管道的內部連通，以在排氣管道的內周壁上形成吹掃氣體氣流層；排氣管道上設置有貫通排氣管道的管壁的多個進氣孔，多個進氣孔圍繞排氣管道的軸線呈螺旋狀分布；每個進氣孔的位于排氣管道的內周壁上的內端，相對于位于排氣管道的外周壁上的外端在螺旋狀的螺旋方向上更靠近排氣管道與尾氣處理裝置連接處；吹掃裝置通過進氣孔與排氣管道的內部連通，使吹掃氣體能夠在排氣管道的內周壁上形成氣流層。本發明可提高半導體設備的工作效率。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種半導體設備。

背景技術

硅外延是指通過化學氣相沉積方法，在硅片表面沉積一層單晶硅。硅源通常來自于甲硅烷（SiH₄）、二氯硅烷（SiH₂Cl₂）、三氯氫硅（SiHCl₃）和四氯硅烷（SiCl₄）等硅源氣體在高溫下的分解或還原。通常情況下，工藝腔內沉積的硅原子不到硅源總量的1%，大量分解后未沉積的硅原子隨著未分解的硅源氣體及攜帶氫氣從尾氣管道排出，進入到尾氣處理器中。由于尾氣管道的溫度低，尾氣中的含硅組分會在尾氣管道中沉積，隨著尾氣管道的沉積逐漸增多，會影響機臺的正常運轉，需要機臺停機維護，且沉積物造成的停機維護周期短于工藝腔的維護周期，導致機臺的工作效率較低。

當前尾氣管道防沉積結構如圖1所示，尾氣管道11設置在工藝腔12與設置有用于處理尾氣的尾氣處理裝置（Scrubber）13的廠務之間，并在尾氣管道11的周圍纏繞加熱帶14，通過加熱帶14對尾氣管道11進行加熱，提高尾氣管道11及其內部的溫度，從而減緩尾氣中的沉積物在尾氣管道11的沉積速度，延緩機臺的維護時間。

但是，在當前的尾氣管道防沉積結構中，由于加熱帶14對尾氣管道11的加熱，使得進入尾氣處理裝置13中的氣體溫度較高，會影響尾氣處理裝置13中真空泵的使用壽命。其次，加熱帶14雖然能夠減緩沉積速度，但是尾氣管道11中依然會存在較多的沉積。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種半導體設備，其能夠降低尾氣中沉積物沉積在排氣管道的內周壁上的速度，從而延長尾氣傳輸裝置的維護周期，提高半導體加工設備的工作效率，并且，還可以避免對尾氣處理裝置造成損壞，從而提高半導體加工設備的使用壽命。

為實現本發明的目的而提供一種半導體設備，包括工藝腔室和尾氣處理裝置，所述半導體設備還包括排氣管道和吹掃裝置，其中，所述排氣管道的兩端分別與工藝腔室和尾氣處理裝置連接，用于將所述工藝腔室內的尾氣排放至所述尾氣處理裝置中；

所述吹掃裝置與所述排氣管道的內部連通，用于向所述排氣管道的內周壁通入吹掃氣體，以在所述排氣管道的內周壁上形成所述吹掃氣體氣流層。

優選的，所述排氣管道上設置有貫通所述排氣管道的管壁的進氣孔，所述進氣孔的位于所述排氣管道的內周壁上的內端，相對于位于所述排氣管道的外周壁上的外端更靠近所述排氣管道與所述尾氣處理裝置連接處；所述吹掃裝置通過所述進氣孔與所述排氣管道的內部連通。

優選的，所述進氣孔為多個，多個所述進氣孔圍繞所述排氣管道的軸線呈螺旋狀分布。

優選的，每個所述進氣孔的軸線與所述排氣管道的徑向截面之間具有第一夾角。

優選的，所述第一夾角的取值范圍為20°-60°。

優選的，每個所述進氣孔的軸線與所述排氣管道的一條指定徑向之間具有第二夾角；所述指定徑向為與所述進氣孔的位于所述排氣管道的外周壁上的外端相交的徑向直線。

優選的，所述第二夾角的取值范圍為30°-60°。