[發明專利]一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構在審
| 申請號： | 201910879279.8 | 申請日： | 2019-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN110491857A | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發明（設計）人： | 姚金才;陳宇;朱超群 | 申請（專利權）人： | 深圳愛仕特科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 44632 深圳倚智知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 霍如肖<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區福*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銅層 陶瓷絕緣層 模塊封裝 芯片 高壓功率器件 絕緣介質層 不良產品 封裝工藝 高壓測試 工藝過程 芯片位置 偏移 成品率 耐高溫 下銅層 凹面 良率 貼片 封裝 焊接 發現 | ||
1.一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，包括中陶瓷絕緣層(2)，其特征在于：所述中陶瓷絕緣層(2)的兩側分別設置有上銅層(1)和下銅層(3)，所述上銅層(1)上設置有耐高溫絕緣介質層(5)。
2.根據權利要求1所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述上銅層(1)的焊面上設置有至少一個用于放置芯片的凹面(4)，所述耐高溫絕緣介質層(5)設置在所述凹面(4)四周側面上。
3.根據權利要求2所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述凹面(4)的深度比焊片厚度與芯片厚度之和小1～2㎜。
4.根據權利要求3所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述凹面(4)的形狀與芯片的形狀相同，所述凹面(4)的尺寸比芯片的尺寸大0.5～1㎜。
5.根據權利要求1所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述耐高溫絕緣介質層(5)固定粘結在在所述上銅層(1)焊面上，所述耐高溫絕緣介質層(5)設置有至少一個，所述耐高溫絕緣介質層(5)上設置有焊孔(6)。
6.根據權利要求5所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述焊孔(6)與所述上銅層1相連通。
7.根據權利要求6所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述焊孔(6)的深度比焊片厚度與芯片厚度之和小1～2㎜。
8.根據權利要求7所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述焊孔(6)的形狀與芯片的形狀相同，所述焊孔(6)的尺寸比芯片的尺寸大0.5～1㎜。
9.根據權利要求1所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述耐高溫絕緣介質層(5)的耐壓值高于芯片的耐壓值。
10.根據權利要求1所述的一種適用于高壓功率器件模塊封裝的DBC結構，其特征在于：所述耐高溫絕緣介質層(5)的耐溫度大于模塊封裝過程的焊接最高溫度。
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