[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201910876711.8 | 申請日： | 2019-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN110970353A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 黃致凡;王茂南;張國欽;陳蕙祺;陳殿豪;陳燕銘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
提供一集成電路基材，具有多個裝置與一互連結構，該互連結構耦合所述裝置至一集成電路上；
形成一第一保護層于該集成電路基材上；
形成一重分布層于該第一保護層上，該重分布層電性連接至該互連結構；
形成一第二保護層于該重分布層與該第一保護層上；
形成一聚酰亞胺層于該第二保護層上；
圖案化該聚酰亞胺層以形成一聚酰亞胺開口于該聚酰亞胺層中；及
以該聚酰亞胺層作為一蝕刻遮罩，經由該聚酰亞胺開口，蝕刻該第二保護層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
