[發明專利]一種位線結構及半導體存儲器

在審

• 申請號: 201910875708.4
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN110556359A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 詹益旺;黃永泰;朱賢士;黃豐銘;巫俊良;童宇誠
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;G11C7/18
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 潘穎

1.一種位線結構，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的多條位線，其中，所述位線包括自所述基底起依次疊加設置的接觸層和導線層，所述接觸層在所述基底上的垂直投影位于所述導線層在所述基底上的垂直投影內，且所述接觸層的在橫截面的寬度小于所述導線層的在橫截面的寬度。

2.根據權利要求1所述的位線結構，其特征在于，所述位線結構還包括：包裹所述接觸層側面的輔助層。

3.根據權利要求1所述的位線結構，其特征在于，所述輔助層為氧化層。

4.根據權利要求3所述的位線結構，其特征在于，所述氧化層的材質為SiO2。

5.根據權利要求1所述的位線結構，其特征在于，所述輔助層與所述接觸層在橫截面的總寬度較所述導線層的在橫截面的寬度的比例范圍為0.9-1.1。

6.根據權利要求1所述的位線結構，其特征在于，所述導線層包括自所述接觸層起依次疊加的第一位線導電子層、第二位線導電子層和位線蓋膜子層。

7.一種半導體存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括有器件隔離層限定的多個有源區；

位于所述襯底具有器件隔離層一側上的絕緣層，所述絕緣層上形成有多個位線接觸槽，所述位線接觸槽裸露所述有源區；

形成于所述絕緣層背離所述襯底一側表面的多條第一位線，及形成于所述位線接觸槽內的第二位線，其中，所述第一位線和所述第二位線均包括自所述襯底一側起依次疊加設置的接觸層和導線層，所述接觸層在所述襯底上的垂直投影位于所述導線層在所述襯底上的垂直投影內，且所述接觸層的在橫截面的寬度小于所述導線層的在橫截面的寬度。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述半導體存儲器還包括：包裹所述接觸層側面的輔助層。

9.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述輔助層為氧化層。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器，其特征在于，所述氧化層的材質為SiO2。

11.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述輔助層與所述接觸層在橫截面的總寬度較所述導線層的在橫截面的寬度的比例范圍為0.9-1.1。

12.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述導線層包括自所述接觸層起依次疊加的第一位線導電子層、第二位線導電子層和位線蓋膜子層。

13.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述第二位線的接觸層背離所述襯底一側的頂面高于所述絕緣層背離所述襯底一側表面。

14.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述第二位線的接觸層背離所述襯底一側的頂面與所述第一位線的接觸層背離所述襯底一側的頂面齊平。

15.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述第一位線的導線層背離所述襯底一側的頂面與所述第二位線的導線層背離所述襯底一側的頂面齊平。