[發明專利]半導體封裝的制造方法在審
| 申請號: | 201910875437.2 | 申請日: | 2019-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN110970296A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 張秉得;金永奭 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/78;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 制造 方法 | ||
提供半導體封裝的制造方法,能夠抑制所需工時的增加。半導體封裝的制造方法包含如下的工序:槽形成工序,利用第一切削刀具從上表面側沿著分割預定線切入至未將半導體封裝基板完全切斷的深度,在密封劑的至少上表面上形成具有第一寬度的加工槽,所述深度大于等于至少使布線基板所具有的接地線在加工槽內露出的深度;屏蔽層形成工序,從密封劑側上方利用導電性材料在加工槽的側面和加工槽的底面以及密封劑上表面上形成屏蔽層;以及分割工序,在實施了屏蔽層形成工序之后,通過第二切削刀具沿著加工槽以不將形成于側面的屏蔽層去除的寬度切入,將半導體封裝基板分割。
技術領域
本發明涉及半導體封裝的制造方法。
背景技術
半導體封裝基板通常是在布線基板上安裝半導體芯片且通過樹脂等密封劑將該半導體芯片密封而成的(例如,參照專利文獻1)。但是,近年來,為了有效利用接合在布線基板的與半導體芯片相反的一側的焊球旁邊的空間,出現了在焊球之間進一步設置半導體芯片且利用密封劑將布線基板的兩側密封的半導體封裝基板。
專利文獻1:日本特愿2017-084105號
在布線基板的兩個面上設置半導體芯片的半導體封裝基板通常在被分割成各個半導體封裝之后,通過導電性的屏蔽層進行包覆。導電性的屏蔽層通過濺射而形成于半導體封裝的外表面上。如上述那樣形成屏蔽層的以往的半導體封裝的制造方法存在以下的問題點。
當在單片化后的半導體封裝上形成屏蔽層的情況下,半導體封裝的厚度較厚,相應地存在不容易在底側形成充分厚度的屏蔽層并且底側的屏蔽層的緊貼力較弱的趨勢。另外,在濺射時,屏蔽層的成分也附著于對半導體封裝進行支承的濺射用帶上,從而當濺射后從濺射用帶拾取半導體封裝時,有可能發生屏蔽層的剝離或在屏蔽層產生飛邊等品質不良。
但是,若布線基板的下側的半導體芯片不產生對其他半導體芯片帶來影響的電磁波、或產生被布線基板內的由金屬構成的布線或安裝用的焊球屏蔽的頻率的電磁波,則只要包覆布線基板的上表面而形成與布線基板的接地線連接的屏蔽層,就無需一定在底側整體形成屏蔽層。
另外,如上述那樣通過濺射形成屏蔽層的半導體封裝的制造方法中,單片化后的半導體封裝需要在濺射前從在單片化時進行支承的劃片帶換裝成濺射用帶,因此該換裝的作業需要一個一個地換裝單片化后的半導體封裝,所需工時會增加。由此,如上述那樣通過濺射形成屏蔽層的半導體封裝的制造方法存在制造的所需工時會增加的問題。另外,單片化后的半導體封裝還存在由于鍍覆工藝而無法應用屏蔽層的缺點。
發明內容
由此,本發明的目的在于提供半導體封裝的制造方法,能夠抑制所需工時的增加。
根據本發明,提供半導體封裝的制造方法,將半導體封裝基板沿著分割預定線分割而制造半導體封裝,該半導體封裝基板在由交叉的多條該分割預定線劃分的布線基板的上表面上安裝有多個半導體芯片,在該布線基板的下表面上安裝有多個焊球,該布線基板的兩個面被密封劑密封,其特征在于,該半導體封裝的制造方法具有如下的工序:槽形成工序,利用第一切削單元從該上表面側沿著該分割預定線切入至未將該半導體封裝基板完全切斷的深度,在該密封劑的至少上表面上形成具有第一寬度的加工槽,所述深度大于等于至少使該布線基板所具有的接地線在該加工槽內露出的深度;屏蔽層形成工序,在實施了該槽形成工序之后,從該密封劑側上方利用導電性材料在該加工槽的側面和該加工槽的底面以及該密封劑的上表面上形成屏蔽層;以及分割工序,在實施了該屏蔽層形成工序之后,通過第二切削單元沿著該加工槽按照不將形成于該側面的屏蔽層去除的寬度切入,將該半導體封裝基板分割。
優選在該槽形成工序中,該加工槽按照上表面的第一寬度比底面的第二寬度大的方式在該加工槽的側面上形成有傾斜。
本申請發明起到能夠抑制所需工時的增加的效果。
附圖說明
圖1是示意性示出通過第1實施方式的半導體封裝的制造方法所制造的半導體封裝的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





