[發明專利]半導體封裝的制造方法

在審

• 申請號: 201910875437.2
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN110970296A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 張秉得;金永奭
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78;H01L23/552
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種半導體封裝的制造方法，將半導體封裝基板沿著分割預定線分割而制造半導體封裝，該半導體封裝基板在由交叉的多條該分割預定線劃分的布線基板的上表面上安裝有多個半導體芯片，在該布線基板的下表面上安裝有多個焊球，該布線基板的兩個面被密封劑密封，其特征在于，

該半導體封裝的制造方法具有如下的工序：

槽形成工序，利用第一切削單元從該上表面側沿著該分割預定線切入至未將該半導體封裝基板完全切斷的深度，在該密封劑的至少上表面上形成具有第一寬度的加工槽，所述深度大于等于至少使該布線基板所具有的接地線在該加工槽內露出的深度；

屏蔽層形成工序，在實施了該槽形成工序之后，從該密封劑側上方利用導電性材料在該加工槽的側面和該加工槽的底面以及該密封劑的上表面上形成屏蔽層；以及

分割工序，在實施了該屏蔽層形成工序之后，通過第二切削單元沿著該加工槽按照不將形成于該側面的屏蔽層去除的寬度切入，將該半導體封裝基板分割。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，

在該槽形成工序中，

該加工槽按照上表面的第一寬度比底面的第二寬度大的方式在該加工槽的側面上形成有傾斜。