[發明專利]反相器、GOA電路及顯示面板有效
| 申請號: | 201910875189.1 | 申請日: | 2019-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN110728940B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 奚蘇萍 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反相器 goa 電路 顯示 面板 | ||
1.一種反相器,所述反相器應用于GOA電路中,所述GOA電路具有一上拉節點,其特征在于,所述反相器包括:第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一測試晶體管、第二測試晶體管以及第三測試晶體管;
所述第一晶體管的柵極、所述第一晶體管的源極以及所述第三晶體管的源極電性連接于第一測試信號線,所述第一晶體管的漏極、所述第二晶體管的漏極以及所述第三晶體管的柵極均電性連接于第一節點,所述第二晶體管的柵極以及所述第四晶體管的柵極均電性連接于所述上拉節點,所述第二晶體管的源極以及所述第四晶體管的源極均電性連接于恒壓低電平信號,所述第三晶體管的漏極以及所述第四晶體管的漏極均電性連接第二節點;
其中,所述第一測試晶體管的柵極、所述第二測試晶體管的柵極以及所述第三測試晶體管的柵極均電性連接于所述第一節點,所述第一測試晶體管的漏極、所述第二測試晶體管的漏極以及所述第三測試晶體管的漏極均電性連接于所述第二節點,所述第一測試晶體管的源極電性連接于第二測試信號線,所述第二測試晶體管的源極電性連接于第三測試信號線,所述第三測試晶體管的源極電性連接于第四測試信號線。
2.根據權利要求1所述的反相器,其特征在于,所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第一測試晶體管、所述第二測試晶體管以及所述第三測試晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管或非晶硅薄膜晶體管。
3.根據權利要求2所述的反相器,其特征在于,所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第一測試晶體管、所述第二測試晶體管以及所述第三測試晶體管均為同種類型的晶體管。
4.根據權利要求3所述的反相器,其特征在于,所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第一測試晶體管、所述第二測試晶體管以及所述第三測試晶體管均為N型晶體管或P型晶體管。
5.根據權利要求1所述的反相器,其特征在于,所述第一測試晶體管的尺寸、所述第二測試晶體管的尺寸、所述第三測試晶體管尺寸以及所述第三晶體管的尺寸均不相同。
6.根據權利要求1所述的反相器,其特征在于,所述第一測試信號線、所述第二測試信號線、所述第三測試信號線或所述第四測試信號線接入控制信號或接地信號。
7.根據權利要求6所述的反相器,其特征在于,可通過控制所述第一測試信號線、所述第二測試信號線、所述第三測試信號線以及所述第四測試信號線接入的信號,對所述反相器進行多種比例驗證。
8.根據權利要求1所述的反相器,其特征在于,所述反相器采用一套光罩形成。
9.一種GOA電路,其特征在于,所述GOA電路包括權利要求1-8任一項所述的反相器。
10.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括權利要求9所述的GOA電路。
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