[發明專利]傳感器裝置

有效

• 申請號: 201910873433.0
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN110470731B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 小林京平
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: G01N29/02
• 分類號: G01N29/02;G01N29/22;G01N29/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

1.一種傳感器裝置，具備：

元件基板；

檢測部，具有位于所述元件基板的上表面的反應部、第一IDT電極以及第二IDT電極，所述反應部具有固定化膜且進行被檢測物的檢測，所述第一IDT電極產生朝向所述反應部傳播的彈性波，所述第二IDT電極接收通過了所述反應部的所述彈性波；以及

保護膜，覆蓋所述第一IDT電極和所述第二IDT電極，

所述反應部還具有固定化在所述固定化膜的上表面且與被檢測物反應的反應物質，

所述固定化膜的上表面比所述元件基板的上表面中的所述第一IDT電極和所述第二IDT電極所位于的區域高，且比所述第一IDT電極的上表面和所述第二IDT電極的上表面中的至少一方低。

2.根據權利要求1所述的傳感器裝置，其中，

在所述元件基板的上表面，與所述第一IDT電極和所述第二IDT電極所位于的區域相比，所述反應部所位于的區域更低。

3.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述固定化膜的材料與所述第一IDT電極和所述第二IDT電極的材料相同。

4.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述固定化膜的厚度比所述第一IDT電極的厚度和所述第二IDT電極的厚度中的至少一方薄。

5.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述固定化膜的上表面的表面粗糙度比所述第一IDT電極的上表面的表面粗糙度和所述第二IDT電極的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。

6.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

在所述元件基板的上表面，與所述第一IDT電極和所述第二IDT電極所位于的區域的表面粗糙度相比，所述反應部所位于的區域的表面粗糙度更大。

7.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述元件基板的上表面中的所述固定化膜所位于的區域的表面粗糙度比所述固定化膜的上表面的表面粗糙度大。

8.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述保護膜位于所述第一IDT電極和所述第二IDT電極中的至少一方與所述反應部之間。

9.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述保護膜位置與所述反應部分離。

10.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

在側剖視下，在所述保護膜中的所述反應部側的端部中，與上端相比，下端與所述固定化膜的距離更短。

11.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

在側剖視下，所述保護膜中的所述反應部側的端部隨著從上端朝向下端而向所述固定化膜側傾斜。

12.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述保護膜的厚度比所述第一IDT電極的厚度和所述第二IDT電極的厚度中的至少一方薄。

13.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述第一IDT電極和所述第二IDT電極分別具有位置彼此分離的多個梳齒電極，

所述保護膜位置跨在所述多個梳齒電極中的相鄰的兩個梳齒電極之上以及露出在所述兩個梳齒電極之間的所述元件基板之上。

14.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述保護膜包含氧化硅。

15.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的金屬膜。

16.根據權利要求1或2所述的傳感器裝置，其中，

所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的氧化膜。